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1. (WO2010096094) DISPOSITIFS À MÉMOIRE ET PROCÉDÉS DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096094    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/057017
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 15.09.2009
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MS 1-525 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Jun [CN/US]; (US) (US Seulement).
SANDHU, Gurtej, S. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Jun; (US).
SANDHU, Gurtej, S.; (US)
Mandataire : LAKE, James E.; Wells St. John P.S. 601 W 1st Ave., Ste. 1300 Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
12/261,948 30.10.2008 US
Titre (EN) MEMORY DEVICES AND FORMATION METHODS
(FR) DISPOSITIFS À MÉMOIRE ET PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A method includes forming an electrical insulator material over an integrated circuit having a metal-containing conductive interconnect and activating a dopant in a semiconductor material of a substrate to provide a doped region. The doped region provides a junction of opposite conductivity types. After activating the dopant, the substrate is bonded to the insulator material and at least some of the substrate is removed where bonded to the insulator material. After the removing, a memory cell is formed having a word line, an access diode, a state -changeable memory element containing chalcogenide phase change material, and a bit line all electrically connected in series, the access diode containing the junction as a p-n junction. A memory device includes an adhesion material over the insulator material and bonding the word line to the insulator material.
(FR)L’invention concerne un procédé pour former un matériau d’isolation électrique sur un circuit intégré qui comprend une interconnexion conductrice contenant un métal et activant un dopant dans le matériau semi-conducteur d’un substrat afin d’obtenir une région dopée. Ladite région dopée présente une jonction à types de conductivité opposés. Après activation du dopant, le substrat est lié au matériau d’isolation et au moins une partie du substrat est éliminée à l’endroit où il est lié au matériau d’isolation. Après l’élimination, on forme une cellule de mémoire comprenant une ligne de mots, une diode d’accès, un élément de mémoire à changement d’état contenant un matériau de changement de phase à base de chalgogénure, et une ligne de bits tous montés électriquement en série, la diode d’accès contenant une jonction, telle qu’une jonction p-n. Le dispositif à mémoire comprend un matériau d’adhésion sur le matériau d’isolation liant la ligne de mots au matériau d’isolation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)