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1. (WO2010096041) NETTOYAGE HUMIDE ASSISTÉ ACOUSTIQUEMENT D’UNE TRANCHE UNIQUE POUR PROCESSUS DE TRANCHES EN SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096041    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/005638
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 14.10.2009
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US) (Tous Sauf US).
PENG, Grant [US/US]; (US) (US Seulement).
MUI, David [US/US]; (US) (US Seulement).
KON, Shih-Chung [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PENG, Grant; (US).
MUI, David; (US).
KON, Shih-Chung; (US)
Mandataire : MINISANDRAM, Jayanthi; Martine Penilla & Gencarella, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 200 Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
12/262,094 30.10.2008 US
Titre (EN) ACOUSTIC ASSISTED SINGLE WAFER WET CLEAN FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESS
(FR) NETTOYAGE HUMIDE ASSISTÉ ACOUSTIQUEMENT D’UNE TRANCHE UNIQUE POUR PROCESSUS DE TRANCHES EN SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method for cleaning a substrate is provided that includes applying a liquid medium to a surface of the substrate such that the liquid medium substantially covers a portion of the substrate that is being cleaned. One or more transducers are used to generate acoustic energy. The generated acoustic energy is applied to the substrate and the liquid medium meniscus such that the applied acoustic energy to the liquid medium prevents cavitation within the liquid medium. The acoustic energy applied to the substrate provides maximum acoustic wave displacement to acoustic waves introduced into the liquid medium. The acoustic energy introduced into the substrate and the liquid medium enables dislodging of the particle contaminant from the surface of the substrate. The dislodged particle contaminants become entrapped within the liquid medium and are carried away from the surface of the substrate by the liquid medium.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage d’un substrat, comportant les étapes consistant à appliquer un agent liquide à une surface du substrat de telle sorte que l’agent liquide recouvre sensiblement une partie du substrat en cours de nettoyage. Un ou plusieurs transducteurs sont utilisés pour générer une énergie acoustique. Ladite énergie acoustique générée est appliquée au substrat et au ménisque de l’agent liquide de telle sorte que l’énergie acoustique appliquée à l’agent liquide empêche la cavitation au sein de l’agent liquide. L’énergie acoustique appliquée au substrat confère un déplacement maximal à des ondes acoustiques introduites dans l’agent liquide. L’énergie acoustique introduite dans le substrat et l’agent liquide permet de déloger des contaminants particulaires de la surface du substrat. Les contaminants particulaires délogés se trouvent piégés dans l’agent liquide et sont emportés à l’écart de la surface du substrat par l’agent liquide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)