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1. (WO2010095781) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095781    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/002689
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 21.05.2009
CIB :
H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD [KR/KR]; 33Fl., LG Twin Tower West 20 Yeouido-dong, Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US).
SONG, Hyun Don [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : SONG, Hyun Don; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 9th Fl. Hyun Juk Bldg., 832-41 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2009-0013572 18.02.2009 KR
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(KO) 발광소자 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment relates to a light-emitting device (LED) and a fabrication method thereof. The LED according to the embodiment comprises: a light-emitting structure including a 2nd conductive semiconductor layer, an active layer, and a first conductive semiconductor layer; and a parallel electrode structure on the light-emitting structure.
(FR)L'invention concerne un mode de réalisation d'un dispositif d'émission de lumière (DEL) et son procédé de fabrication. Le DEL selon l'invention comprend : une structure d'émission de lumière comprenant une 2e couche semi-conductrice à conductivité, une couche active, et une première couche semi-conductrice à conductivité, et une structure d'électrode parallèle sur la structure d'émission de lumière.
(KO)실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 제2 도전형 반도체층, 활성층, 제1 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 발광구조물 상에 병렬형 전극 구조;를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)