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1. (WO2010095700) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095700    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/052488
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 12.02.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.02.2011    
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
SOENO, Akitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SOENO, Akitaka; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-033688 17.02.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A reverse conducting semiconductor device having an IGBT element region and a diode element region in one semiconductor substrate is provided. An electric current detection region is arranged adjacent to the IGBT element region, and a collector region of the IGBT element region is extended to connect with a collector region of the electric current detection region. Instability in the IGBT detection current caused by a boundary portion between the IGBT and the diode can be suppressed. In the same way, an electric current detection region is arranged adjacent to the diode element region, and a cathode region of the diode element region is extended to connect with a cathode region of the electric current detection region. Instability in the diode detection current caused by the boundary portion between the IGBT and the diode can be suppressed.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs à conductivité inverse qui comporte une zone d'élément bipolaire à grille isolée (IGBT) et une zone d'élément de diode sans un substrat à semi-conducteurs. Une zone de détection de courant électrique est placée en position adjacente à la zone d'élément IGBT, et une zone de collecteur de la zone d'élément IGBT est étendue pour assurer la connexion avec une zone de collecteur de la zone de détection de courant électrique. L'instabilité du courant de détection IGBT engendrée par une zone limite entre IGBT et diode peut être supprimée. De même, une zone de détection de courant électrique est placée en position adjacente à la zone d'élément de diode, et une zone de cathode de la zone d'élément de diode est étendue pour assurer la connexion avec une zone de cathode de la zone de détection de courant électrique. L'instabilité du courant de détection de diode engendrée par une zone limite entre IGBT et diode peut être supprimée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)