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1. (WO2010095681) MATÉRIAU ABSORBANT LA LUMIÈRE ET ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095681    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/052439
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 18.02.2010
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1, Matsugasaki Hashikami-cho, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068585 (JP) (Tous Sauf US).
SONODA, Saki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SONODA, Saki; (JP).
YOSHIMOTO, Masahiro; (JP)
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-038224 20.02.2009 JP
Titre (EN) LIGHT ABSORBING MATERIAL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT USING SAME
(FR) MATÉRIAU ABSORBANT LA LUMIÈRE ET ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 光吸収材料及びそれを用いた光電変換素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a novel light absorbing material by which conversion efficiency of a solar cell can be improved. A photoelectric conversion element using the material is also provided. The light absorbing material is composed of a GaN compound semiconductor wherein Ga is partially substituted with a 3d-transition metal, and the material has one or more impurity bands and a light absorption coefficient of 1000 cm-1 or more in the all wavelength regions of 1500 nm or less and those of 300 nm or more.
(FR)L'invention concerne un matériau absorbant la lumière innovant permettant d'améliorer le rendement de conversion d'une cellule solaire. Elle concerne aussi un élément de conversion photoélectrique utilisant le matériau. Le matériau absorbant la lumière est composé d'un semi-conducteur composé de GaN dans lequel le Ga est partiellement substitué par un métal de transition 3d, et le matériau présente une ou plusieurs bandes d'impuretés et un coefficient d'absorption de lumière supérieur ou égal à 1 000 cm-1 dans toutes les plages de longueur d'onde inférieures ou égales à 1500 nm et celles supérieures ou égales à 300 nm.
(JA) 太陽電池の変換効率を向上させることの可能な、新たな光吸収材料及びそれを用いた光電変換素子を提供する。本発明の光吸収材料は、Gaの一部が3d遷移金属で置換されたGaN系化合物半導体からなり、1以上の不純物バンドを有するものであり、波長領域1500nm以下、300nm以上の全波長領域における光吸収係数が1000cm-1以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)