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1. (WO2010095589) ELÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE RAM MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095589    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/052189
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 15.02.2010
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIWATA Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSHIMA Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKAMI Shunsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAHARA Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIWATA Nobuyuki; (JP).
OHSHIMA Norikazu; (JP).
FUKAMI Shunsuke; (JP).
NAGAHARA Kiyokazu; (JP).
SUZUKI Tetsuhiro; (JP)
Mandataire : KUDOH Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-033368 17.02.2009 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) ELÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE RAM MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a magnetoresistive effect element which is provided with a magnetizable layer, a non-magnetic insert layer provided adjacent to the magnetizable layer, a magnetic insert layer provided adjacent to the non-magnetic insert layer on the side opposite the magnetizable layer, a spacer layer provided adjacent to the magnetic insert layer on the side opposite the non-magnetic insert layer, and a first fixed magnetization layer provided adjacent to the spacer layer on the side opposite the magnetic insert layer. The magnetizable layer and the first fixed magnetization layer have a magnetization component approximately perpendicular to the film surface. The magnetizable layer is provided with two fixed magnetization sections and a magnetic domain wall displacement section arranged between the two fixed magnetization sections. The magnetizations of the two fixed magnetization sections are fixed approximately perpendicularly to the film surface in an anti-parallel orientation to each other. The magnetic domain wall displacement section is magnetically anisotropic in the direction perpendicular to the film surface.
(FR)L'invention concerne un élément à effet magnétorésistif qui comprend une couche magnétisable, une couche d'insert non magnétique adjacente à la couche magnétisable, une couche d'insert magnétique adjacente à la couche d'insert non magnétique sur le côté opposé de la couche magnétisable, une couche d'espacement adjacente à la couche d'insert magnétique sur le côté opposé à la couche d'insert non magnétique, et une première couche à magnétisation fixe adjacente à la couche d'espacement du côté opposé à la couche d'insert magnétique. La couche magnétisable et la première couche à magnétisation fixe ont une composante de magnétisation approximativement perpendiculaire à la surface du film. La couche magnétisable comprend deux sections à magnétisation fixe et une section de déplacement de paroi de domaine de magnétisation disposée entre les deux sections à magnétisation fixe. Les magnétisations des deux sections à magnétisation fixe sont fixées approximativement perpendiculairement à la surface du film, selon une orientation antiparallèle l'une par rapport à l'autre. La section de déplacement de paroi de domaine magnétique est magnétiquement anisotrope dans une direction perpendiculaire à la surface du film.
(JA) 磁気抵抗効果素子は、磁化自由層と、磁化自由層に隣接して設けられた非磁性挿入層と、非磁性挿入層に隣接して磁化自由層とは反対側に設けられた磁性挿入層と、磁性挿入層に隣接して非磁性挿入層とは反対側に設けられたスペーサ層と、スペーサ層に隣接して磁性挿入層とは反対側に設けられた第1の磁化固定層とを具備する。磁化自由層及び第1の磁化固定層は、膜面に略垂直方向の磁化成分を有する。磁化自由層は、二つの磁化固定部と、二つの磁化固定部の間に配置される磁壁移動部とを備える。二つの磁化固定部の磁化は、膜面に略垂直方向において互いに略反平行に固定される。磁壁移動部は、膜面垂直方向の磁気異方性を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)