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1. (WO2010095527) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095527    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051708
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 05.02.2010
CIB :
H01L 51/05 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Takuro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUSHITA, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGUCHI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Tadashi; (JP).
ITO, Takuro; (JP).
MATSUSHITA, Michio; (JP).
HIGUCHI, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : INABA, Shigeru; NARUSE, INABA & INAMI, Hanabishi Imas Hirakawacho Building 4th Floor, 3-11, Hirakawacho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-038658 20.02.2009 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体素子の作製法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor element to which acquired functions are imparted by setting/changing the functions of the semiconductor element after manufactured. The organic semiconductor element is provided with at least two electrodes arranged away from each other on a bipolar organic semiconductor layer, and a back gate disposed on the side opposite to the organic semiconductor layer with an insulating film sandwiched therebetween. At a first temperature at which a bias stress effect occurs, a gate voltage is applied to the organic semiconductor element to generate a positive charge or a negative charge in the organic semiconductor layer, so that the generated positive charge or the negative charge is trapped by the bias stress effect. While the gate voltage is applied, the organic semiconductor element is subjected to refrigeration to a temperature not higher than a second temperature at which the bias effect is frozen, so that the trapped positive charge or negative charge is fixed. The application of the gate voltage is removed to inject a charge opposite to the fixed positive charge or negative charge as a carrier into the organic semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur auquel des fonctions acquises sont imparties par réglage/modification des fonctions de l'élément semi-conducteur après production. L'élément semi-conducteur organique comprend au moins deux électrodes écartées l'une de l'autre sur une couche semi-conductrice organique bipolaire, et une grille arrière disposée sur le côté opposé de la couche semi-conductrice organique, un film isolant étant pris en sandwich entre les deux. A une première température à laquelle un effet de contrainte de polarisation se produit, une tension de grille est appliquée sur l'élément semi-conducteur organique pour générer une charge positive ou une charge négative dans la couche semi-conductrice organique, de sorte que la charge positive ou la charge négative générées sont piégées, par l'effet de contrainte de polarisation. Pendant l'application de la tension de grille, l'élément semi-conducteur organique est soumis à une réfrigération à une température inférieure ou égale à une seconde température à laquelle l'effet de contrainte de polarisation est gelé, de sorte que la charge positive ou la charge négative piégée sont fixes. L'application de la tension de grille est arrêtée pour injecter une charge opposée à la charge positive fixe ou à la charge négative fixe en tant que vecteur dans la couche semi-conductrice organique.
(JA)半導体素子の機能を製造後に設定・変更することで、後天性機能が付与された半導体素子を実現する。両極性を備えた有機半導体層上に互いに離間して設けた少なくとも2つの電極と、絶縁膜を挟んで有機半導体層と反対側に設けたバックゲートと、を備えた有機半導体素子において、バイアスストレス効果が生じる第1の温度下でゲート電圧を有機半導体素子に印加して前記有機半導体層に正電荷あるいは負電荷を生成させ、バイアスストレス効果により前記生成した正電荷あるいは負電荷をトラップさせ、前記ゲート電圧を印加した状態で、前記有機半導体素子をバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却して前記トラップされた正電荷あるいは負電荷を固定し、前記ゲート電圧の印加を除去することで、前記固定された正電荷あるいは負電荷と逆の電荷をキャリアとして前記有機半導体層に注入させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)