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1. (WO2010095525) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095525    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051702
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 05.02.2010
CIB :
H01L 43/10 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
WATANABE Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURIBAYASHI Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : WATANABE Naoki; (JP).
KURIBAYASHI Masaki; (JP)
Mandataire : OKABE Yuzuru; No.602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-039449 23.02.2009 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a magnetoresistive element having an MR ratio higher than the conventional MR ratios, and a method for manufacturing the magnetoresistive element. Specifically, a magnetoresistive element to be used for a magnetic reproducing head for a magnetic disc driving device, a storage element for magnetic random access memory, a magnetic sensor and the like, preferably, a tunnel magnetoresistive element (more preferably, a spin-valve-type tunnel magnetoresistive element), is provided. The magnetoresistive element in one embodiment is provided with a substrate, a tunnel barrier layer, a ferromagnetic layer composed of an alloy of Co (cobalt) and Fe (iron), and a nonmagnetic metal layer containing B (boron).
(FR)L'invention concerne un élément magnétorésistif présentant un rapport de MR supérieur aux rapports de MR conventionnels, ainsi qu'un procédé de fabrication de l'élément magnétorésistif. Plus précisément, l'invention concerne un élément magnétorésistif appelé à être utilisé pour une tête de reproduction magnétique destinée à un dispositif d'entraînement de disque magnétique, un élément de stockage pour mémoire vive magnétique, un capteur magnétique ou un dispositif similaire, de préférence un élément magnétorésistif à effet tunnel (plus préférablement un élément magnétorésistif à effet tunnel du type vanne de spin). Dans un mode de réalisation, l'élément magnétorésistif est doté d'un substrat, d'une couche barrière à effet tunnel, d'une couche ferromagnétique composée d'un alliage de Co (cobalt) et de Fe (fer), et d'une couche de métal amagnétique contenant du B (bore).
(JA)本発明は、従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサー等に用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子(さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子)に関する。本発明の一実施形態に係る磁気抵抗素子は、基板と、トンネルバリア層と、Co(コバルト)Fe(鉄)合金である強磁性層及びB(ボロン)を含有する非磁性金属層を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)