WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010095369) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095369    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/000470
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 27.01.2010
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Kenji; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-038239 20.02.2009 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which comprises, for the purpose of obtaining a flat and smooth silicon carbide surface, while maintaining a high impurity activation rate: a step of implanting an impurity into a surface layer of a silicon carbide substrate; a step of forming a carbon film on the surface of the silicon carbide substrate; a step of mounting the silicon carbide substrate on a sample stage of a susceptor, which is arranged within an activation heat treatment furnace, in such a manner that the carbon film is in contact with the susceptor; and a step of subjecting the silicon carbide substrate to an activation heat treatment, using the carbon film as a protective film.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur au carbure de silicium qui comprend, afin d'obtenir une surface de carbure de silicium plate et lisse tout en maintenant un taux d'activation des impuretés élevé : une étape consistant à implanter une impureté dans une couche de surface d'un substrat de carbure de silicium ; une étape consistant à former une pellicule de carbone sur la surface du substrat de carbure de silicium ; une étape consistant à monter le substrat de carbure de silicium sur un étage d'échantillon d'un suscepteur qui est disposé dans un four de traitement thermique d'activation, de telle manière que la pellicule de carbone soit en contact avec le suscepteur ; et une étape consistant à soumettre le substrat de carbure de silicium à un traitement thermique d'activation, en utilisant la pellicule de carbone comme pellicule protectrice.
(JA) 高い不純物活性化率を保ちながら平滑な炭化珪素の表面を得るため、炭化珪素基板の表面層に不純物を注入する工程と、前記炭化珪素基板の表面にカーボン膜を成膜する工程と、活性化熱処理炉内に配置したサセプタの試料台に、前記カーボン膜と前記サセプタとが接するように載置する工程と、前記カーボン膜を保護膜として前記炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、を備える炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)