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1. (WO2010095296) ELEMENT DE MEMOIRE RESISTIVE ET UTILISATION ASSOCIEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095296    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/065634
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 08.09.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
HIROSE, Sakyo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIROSE, Sakyo; (JP)
Mandataire : KOSHIBA, Masaaki; Koshiba Patent Office, 13-8, Hyakurakuen 3-chome, Nara-shi, Nara 6310024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-038153 20.02.2009 JP
Titre (EN) RESISTIVE MEMORY ELEMENT AND USE THEREOF
(FR) ELEMENT DE MEMOIRE RESISTIVE ET UTILISATION ASSOCIEE
(JA) 抵抗記憶素子およびその使用方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a resistive memory element which has a high resistance change ratio and an excellent memory effect. Specifically disclosed is a resistive memory element (1) which comprises an element body (2) and at least a pair of electrodes (3, 4) which face each other via at least a part of the element body (2).  The element body (2) is formed from an oxide semiconductor that has a composition represented by the following general formula: (Ba1-xSrx)Ti1-yMyO3 (wherein M represents at least one of Mn, Fe and Co, x satisfies 0 ≤ x ≤ 1.0, and y satisfies 0.005 ≤ y ≤ 0.05).  The first electrode (3) is formed from a material which is capable of forming a Schottky barrier that can exhibit rectifying properties and resistance change characteristics at the interface region with the element body (2).  The second electrode (4) is formed from a material which is capable of obtaining a more ohmic junction with the element body (2) in comparison to the first electrode (3).
(FR)L'invention concerne un élément de mémoire résistive dont le rapport de changement de résistance est élevé et l'effet de mémoire excellent. Plus précisément, l'invention concerne un élément de mémoire résistive (1) qui comprend un corps d'élément (2) et au moins une paire d'électrodes (3, 4) qui se font face via au moins une partie du corps d'élément (2). Ledit corps d'élément (2) est à base d'un semi-conducteur d'oxyde dont la composition est représentée par la formule générale suivante: (Ba1-xSrx)Ti1-yMyO3 (dans laquelle M représente au moins Mn, Fe et/ou Co, x satisfaisant 0 ≤ x ≤ 1,0 et y 0,005 ≤ y ≤ 0,05). La première électrode (3) est à base d'un matériau pouvant former une barrière de Schottky pouvant présenter des propriétés de redressement et des caractéristiques de changement de résistance dans la zone d'interface avec le corps d'élément (2). La seconde électrode (4) est à base d'un matériau pouvant obtenir une jonction plus ohmique avec le corps d'élément (2) en comparaison avec la première électrode (3).
(JA) 抵抗変化率が大きく、かつ優れたメモリー効果を有する、抵抗記憶素子を提供する。 素体(2)と、素体(2)の少なくとも一部を介して対向する少なくとも1対の電極(3,4)とを備える、抵抗記憶素子(1)であって、素体(2)は、一般式:(Ba1-xSr)Ti1-y(Mは、Mn、FeおよびCoのうちの少なくとも1種。0≦x≦1.0かつ0.005≦y≦0.05)で示される組成を有する酸化物半導体から構成される。第1の電極(3)は、素体(2)との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料から構成され、第2の電極(4)は、第1の電極(3)と比較して、素体(2)に対してよりオーミックな接合が得られる材料から構成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)