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1. (WO2010095205) DISPOSITIF DE CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF DE CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR, BOÎTIER, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU BOÎTIER, MODULE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MODULE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095205    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/007036
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 18.12.2009
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/16 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : Fujikura Ltd. [JP/JP]; 5-1, Kiba 1-chome, Kohtoh-ku, Tokyo 1358512 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Satoshi; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-039571 23.02.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SENSOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SENSOR DEVICE, PACKAGE, METHOD OF MANUFACTURING PACKAGE, MODULE, METHOD OF MANUFACTURING MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF DE CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR, BOÎTIER, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU BOÎTIER, MODULE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MODULE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体センサデバイス,半導体センサデバイスの製造方法,パッケージ,パッケージの製造方法,モジュール,及びモジュールの製造方法,及び電子機器
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor sensor device including: a semiconductor sensor chip including a first substrate, a sensor circuit formed on the first substrate, a first conductive part electrically connected to the sensor circuit, and a first redistribution layer electrically connected to the first conductive part; a semiconductor chip including a second substrate, a processing circuit formed on the second substrate and processing electric signals outputted from the sensor circuit, a second conductive part electrically connected to the processing circuit, and a second redistribution layer electrically connected to the second conductive part; and conductive connection members electrically connecting the first redistribution layer and second redistribution layer. The thickness of at least one of the first redistribution layer and the second redistribution layer is 8 μm to 20 μm.
(FR)L'invention concerne un dispositif de capteur semi-conducteur comprenant : une puce de capteur semi-conducteur comprenant un premier substrat, un circuit de capteur formé sur le premier substrat, une première partie conductrice électriquement connectée au circuit de capteur, et une première couche de redistribution électriquement connectée à la première partie semi-conductrice ; une puce de capteur semi-conducteur comprenant un second substrat, un circuit de traitement formé sur le second substrat et traitant les signaux électriques émis par le circuit de capteur, une seconde partie conductrice électriquement connectée au circuit de traitement, et une seconde couche de redistribution électriquement connectée à la seconde partie conductrice ; et des éléments de connexion conducteurs connectant électriquement la première couche de redistribution et la seconde couche de redistribution. L'épaisseur de la première couche de redistribution et/ou de la seconde couche de redistribution est comprise entre 8 µm et 20 µm.
(JA) この半導体センサデバイスは、第一基板と、前記第一基板に形成されたセンサ回路と、前記センサ回路に電気的に接続された第一導電部と、前記第一導電部に電気的に接続された第一再配線層とを含む半導体センサチップと、第二基板と、前記第二基板に形成され、前記センサ回路から出力された電気信号を処理する処理回路と、前記処理回路に電気的に接続された第二導電部と、前記第二導電部に電気的に接続された第二再配線層とを含む半導体チップと、前記第一再配線層と前記第二再配線層とを電気的に接続する導電性の接続部材とを含み、前記第一再配線層の厚さ及び前記第二再配線層の厚さのうち少なくとも一方の厚さが8μm以上20μm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)