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1. (WO2010095192) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/095192    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/005955
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 09.11.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
MURAMOTO, Eiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NUNOUE, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAMOTO, Eiji; (JP).
NUNOUE, Shinya; (JP).
OKA, Toshiyuki; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-038591 20.02.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting element comprising: a multilayer structure (1s) having a first semiconductor layer (1), a second semiconductor layer (2) and a light-emitting layer (3) arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode (7); a second electrode (4o); a third electrode (4s); and a fourth electrode (4p).  The first electrode is electrically connected to the first semiconductor layer.  The second electrode forms an ohmic contact with the second semiconductor layer, and transmits the light emitted from the light-emitting layer.  The third electrode penetrates the second electrode and is electrically connected thereto, while forming a Schottky contact with the second semiconductor layer.  The fourth electrode is formed on a side of the third electrode, which is the reverse side of the second semiconductor layer-side thereof, and has the same planar shape as the third electrode when viewed from the lamination direction of the multilayer structure.  Consequently, the semiconductor light-emitting element has improved light-extraction efficiency, while having improved current injection efficiency.  A semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element are also disclosed.
(FR)L'invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une structure multicouche (1s) comprenant une première couche semi-conductrice (1), une seconde couche semi-conductrice (2) et une couche électroluminescente (3) agencée entre la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice ; une première électrode (7) ; une deuxième électrode (4o) ; une troisième électrode (4s) ; et une quatrième électrode (4p). La première électrode est électriquement connectée à la première couche semi-conductrice. La deuxième électrode forme un contact ohmique avec la seconde couche semi-conductrice, et transmet la lumière émise par la couche électroluminescente. La troisième électrode pénètre dans la deuxième électrode et lui est électriquement connectée, tout en formant un contact Schottky avec la seconde couche semi-conductrice. La quatrième électrode est formée sur un côté de la troisième électrode, qui est le côté au verso de son côté seconde couche semi-conductrice, et présente la même forme plane que la troisième électrode en vue dans la direction de stratification de la structure multicouche. En conséquence, l'élément électroluminescent à semi-conducteur présente un rendement d'extraction de lumière amélioré, tout en présentant une efficacité d'injection de courant améliorée. L'invention porte également sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteur et sur un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur.
(JA) 第1半導体層1と、第2半導体層2と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層3と、を有する積層構造体1sと、第1電極7、第2電極4o、第3電極4s及び第4電極4pと、を備えた半導体発光素子を提供する。第1電極は、第1半導体層に電気的に接続される。第2電極は、第2半導体層に対してオーミック接触を形成し、発光層からの発光光に対して透光性を有する。第3電極は、第2電極を貫通し、第2電極に電気的に接続され、第2半導体層に対してショットキー接触を形成する。第4電極は、第3電極の第2半導体層とは反対の側に形成され、積層構造体の積層方向からみたときに第3電極と同じ平面形状を有する。これにより、電流注入効率を向上しつつ光取り出し効率を向上する半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)