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1. (WO2010094998) PROCÉDÉ D'ÉLECTRODÉPOSITION D'INTERCONNEXIONS DE CUIVRE PUCE À PUCE, PUCE À TRANCHE ET TRANCHE À TRANCHE DANS DES TROUS D'INTERCONNEXIONS À TRAVERS LE SILICIUM (TSV)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/094998    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/007793
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 16.12.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.12.2010    
CIB :
H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), C25D 3/38 (2006.01), C25D 5/18 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01)
Déposants : ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Erasmusstrasse 20 10553 Berlin (DE) (Tous Sauf US).
PREISSER, Robert, F. [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PREISSER, Robert, F.; (DE)
Mandataire : WONNEMANN, Jörg; Atotech Deutschland GmbH Erasmussstrasse 20 10553 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
12/372,113 17.02.2009 US
Titre (EN) PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COPPER CHIP TO CHIP, CHIP TO WAFER AND WAFER TO WAFER INTERCONNECTS IN THROUGH-SILICON VIAS (TSV)
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLECTRODÉPOSITION D'INTERCONNEXIONS DE CUIVRE PUCE À PUCE, PUCE À TRANCHE ET TRANCHE À TRANCHE DANS DES TROUS D'INTERCONNEXIONS À TRAVERS LE SILICIUM (TSV)
Abrégé : front page image
(EN)A process of electrodepositing high purity copper in a via in a silicon substrate to form a through-silicon-via (TSV), including immersing the silicon substrate into an electrolytic bath in an electrolytic copper plating system in which the electrolytic bath includes an acid, a source of copper ions, a source of ferrous and/or ferric ions, and at least one additive for controlling physical-mechanical properties of deposited copper; and applying an electrical voltage for a time sufficient to electrodeposit high purity copper to form a TSV, in which a Fe+2/Fe+3 redox system is established in the bath to provide additional copper ions to be electrodeposited by dissolving copper ions from a source of copper metal.
(FR)L'invention porte sur un procédé d'électrodéposition de cuivre de pureté élevée dans un trou d'interconnexion ménagé dans un substrat en silicium pour former un trou d'interconnexion à travers le silicium (TSV), comprenant l'immersion du substrat en silicium dans un bain électrolytique réalisé dans un système de dépôt électrolytique de cuivre, le bain électrolytique comprenant un acide, une source d'ions cuivres, une source d'ions ferreux et/ou ferriques, et au moins un additif servant à contrôler les propriétés physiques et mécaniques du cuivre déposé; et l'application d'une tension électrique pendant une durée suffisante pour assurer un dépôt électrolytique de cuivre de pureté élevée et former un TSV. Un système redox Fe+2/Fe+3 est mis en oeuvre dans le bain afin de fournir des ions cuivres supplémentaires devant être électrodéposés par dissolution d'ions cuivre provenant d'une source de cuivre métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)