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1. (WO2010093610) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT DE SOLUTION À ORIENTATION DE SUBSTRAT PARTIPHOBIQUE (INHIBANT L'ACCUMULATION DES PARTICULES)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/093610    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/023593
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 09.02.2010
CIB :
H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : UNITED SOLAR OVONIC LLC [US/US]; 3800 Lapeer Road Auburn Hills, MI 48326 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Shengzhong [US/US]; (US) (US Seulement).
HU, Chaolan [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHOU, Yanhua [US/US]; (US) (US Seulement).
BANERJEE, Arindam [US/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
GUHA, Subhendu [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Shengzhong; (US).
HU, Chaolan; (US).
ZHOU, Yanhua; (US).
BANERJEE, Arindam; (US).
YANG, Jeffrey; (US).
GUHA, Subhendu; (US)
Mandataire : CITKOWSKI, Ronald, W.; Gifford, Krass, Sprinkle, Anderson & Citkowski, P.C. 2701 Troy Center Drive, Suite 330 Post Office Box 7021 Troy, MI 48007-7021 (US)
Données relatives à la priorité :
12/369,048 11.02.2009 US
Titre (EN) SOLUTION DEPOSITION METHOD AND APPARATUS WITH PARTIPHOBIC SUBSTRATE ORIENTATION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT DE SOLUTION À ORIENTATION DE SUBSTRAT PARTIPHOBIQUE (INHIBANT L'ACCUMULATION DES PARTICULES)
Abrégé : front page image
(EN)A metal and oxygen material such as a transparent electrically conductive oxide material is electro deposited onto a substrate in a solution deposition process. Process parameters are controlled so as to result in the deposition of a high quality layer of material which is suitable for use in a back reflector structure of a high efficiency photovoltaic device. The deposition may be carried out in conjunction with a masking member which operates to restrict the deposition of the metal and oxygen material to specific portions of the substrate. In particular instances the deposition may be implemented in a continuous, roll-to-roll process. Further disclosed are semiconductor devices and components of semiconductor devices made by the present process, as well as apparatus for carrying out the process.
(FR)Selon l'invention, une matière à base de métal et d'oxygène telle qu'une matière transparente à base d'oxyde conducteur est électrodéposée sur un substrat lors d'un procédé de dépôt de solution. Des paramètres de traitement sont contrôlés de manière à entraîner le dépôt d'une couche de matière de haute qualité qui est appropriée pour être utilisée dans une structure de rétroréflexion d'un dispositif photovoltaïque à haut rendement. Le dépôt peut être effectué conjointement à un élément de masquage qui sert à limiter le dépôt de la matière à base de métal et d'oxygène à des parties spécifiques du substrat. Dans des modes de réalisation particuliers, le dépôt peut être mis en oeuvre dans un procédé continu à rouleaux couplés. L'invention concerne également des dispositifs à semi-conducteurs et des composants de dispositifs à semi-conducteurs fabriqués selon ledit procédé, ainsi qu'un appareil pour la mise en oeuvre dudit procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)