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1. (WO2010093380) NETTOYAGE DE SOURCE D'IONS DANS DES SYSTÈMES DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/093380    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053520
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 12.08.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810-4169 (US) (Tous Sauf US).
SWEENEY, Joseph, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
YEDAVE, Sharad, N. [IN/US]; (US) (US Seulement).
BYL, Oleg [UA/US]; (US) (US Seulement).
KAIM, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
ELDRIDGE, David [US/US]; (US) (US Seulement).
FENG, Lin [CN/US]; (US) (US Seulement).
BISHOP, Steven, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
OLANDER, W., Karl [US/US]; (US) (US Seulement).
TANG, Ying [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SWEENEY, Joseph, D.; (US).
YEDAVE, Sharad, N.; (US).
BYL, Oleg; (US).
KAIM, Robert; (US).
ELDRIDGE, David; (US).
FENG, Lin; (US).
BISHOP, Steven, E.; (US).
OLANDER, W., Karl; (US).
TANG, Ying; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser 400 Garden City Plaza Suite 300 Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
PCT/US2009/033754 11.02.2009 US
Titre (EN) ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS
(FR) NETTOYAGE DE SOURCE D'IONS DANS DES SYSTÈMES DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Cleaning of an ion implantation system or components thereof, utilizing temperature and/or a reactive cleaning reagent enabling growth/etching of the cathode in an indirectly heated cathode for an ion implantation system by monitoring the cathode bias power and taking corrective action depending upon compared values to etch or regrow the cathode.
(FR)La présente invention a trait au nettoyage d'un système d'implantation ionique ou de ses composants, à l'aide de la température et/ou d'un réactif de nettoyage réactif permettant d'obtenir la croissance/l'attaque chimique de la cathode dans une cathode chauffée de façon indirecte pour un système d'implantation ionique en surveillant la puissance de polarisation de la cathode et en mettant en place une action corrective en fonction de valeurs comparées afin d'obtenir une nouvelle attaque chimique ou croissance de la cathode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)