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1. (WO2010093314) ENSEMBLE DÉTECTEUR EN SILICIUM POUR IMAGERIE PAR RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/093314    N° de la demande internationale :    PCT/SE2010/050106
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 01.02.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.11.2010    
CIB :
G01T 1/24 (2006.01), A61B 6/03 (2006.01), G01N 23/04 (2006.01), G01T 1/29 (2006.01)
Déposants : DANIELSSON, Mats [SE/SE]; (SE).
KARLSSON, Staffan [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : DANIELSSON, Mats; (SE).
KARLSSON, Staffan; (SE)
Mandataire : AROS PATENT AB; PO Box 1544 S-751 45 Uppsala (SE)
Données relatives à la priorité :
61/151,637 11.02.2009 US
12/488,930 22.06.2009 US
Titre (EN) SILICON DETECTOR ASSEMBLY FOR X-RAY IMAGING
(FR) ENSEMBLE DÉTECTEUR EN SILICIUM POUR IMAGERIE PAR RAYONS X
Abrégé : front page image
(EN)A Silicon detector for x-ray imaging is based on multiple semiconductor detector modules (A) arranged together to form an overall detector area, where each semiconductor detector module comprises an x-ray sensor of crystalline Silicon oriented edge-on to incoming x-rays and connected to integrated circuitry for registration of x-rays interacting in the x-ray sensor through the photoelectric effect and through Compton scattering and for an incident x-ray energy between 40 keV and 250 keV to provide the spatial and energy information from these interactions to enable an image of an object. Further, anti-scatter modules (B) are interfolded between at least a subset of the semiconductor detector modules to at least partly absorb Compton scattered x-rays.
(FR)La présente invention porte sur un détecteur en silicium pour une imagerie par rayons X, qui est basé sur de multiples modules détecteurs à semi-conducteurs (A) agencés ensemble pour former une zone de détecteur globale, chaque module détecteur à semi-conducteurs comprenant un détecteur de rayons X de silicium cristallin orienté bord vers l'avant vis-à-vis de rayons X incidents et connectés à des éléments de circuit intégré pour un repérage de rayons X interagissant dans le détecteur de rayons X à travers l'effet photoélectrique et à travers une diffusion Compton et pour une énergie de rayons X incidents entre 40 keV et 250 keV afin de fournir les informations spatiales et d'énergie à partir de ces interactions pour permettre la formation d'une image d'un objet. En outre, des modules anti-diffusion (B) sont entrepliés entre au moins un sous-ensemble des modules détecteurs à semi-conducteurs pour absorber au moins partiellement les rayons X diffusés par diffusion Compton.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)