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1. (WO2010092928) CAPTEUR D'IMAGE LINÉAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092928    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051802
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 08.02.2010
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
OTA Keiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKIMOTO Sadaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OTA Keiichi; (JP).
TAKIMOTO Sadaharu; (JP).
WATANABE Hiroshi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-031224 13.02.2009 JP
Titre (EN) LINEAR IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE LINÉAIRE
(JA) リニアイメージセンサ
Abrégé : front page image
(EN)A linear image sensor (1) provided with a plurality of long-shape embedded photodiodes (PD).  Each embedded photodiode (PD(n)) is provided with: a first semiconductor region (10) of a first conductivity type; a long-shape second semiconductor region (20) formed on top of the first semiconductor region (10) and having a low second conductivity type impurity concentration; a third semiconductor region (30) of the first conductivity type formed on top of the second semiconductor region (20) so as to cover the surface of the second semiconductor region (20); and fourth semiconductor regions (40) of the second conductivity type for extracting the charge from the second semiconductor region (20).  The plurality of fourth semiconductor regions (40) are arranged on top of the second semiconductor region (20) and are spaced away from each other in the long direction.
(FR)La présente invention a trait à un capteur d'image linéaire (1) équipé d'une pluralité de photodiodes intégrées de forme longue (PD). Chaque photodiode intégrée (PD(n)) est équipée : d'une première région semi-conductrice (10) d'un premier type de conductivité ; d'une deuxième région semi-conductrice de forme longue (20) formée sur la partie supérieure de la première région semi-conductrice (10) et dotée d'une faible concentration d'impuretés d'un second type de conductivité ; d'une troisième région semi-conductrice (30) du premier type de conductivité formée sur la partie supérieure de la deuxième région semi-conductrice (20) de manière à recouvrir la surface de la deuxième région semi-conductrice (20) ; et de quatrièmes régions semi-conductrices (40) du second type de conductivité permettant d'extraire la charge à partir de la deuxième région semi-conductrice (20). Les multiples quatrièmes régions semi-conductrices (40) sont disposées sur la partie supérieure de la deuxième région semi-conductrice (20) et sont espacées les unes des autres dans la direction longitudinale.
(JA) 本発明の一実施形態に係るリニアイメージセンサ1は、長尺形状の埋め込み型フォトダイオードPD(n)が複数配列されている。この埋め込み型フォトダイオードPD(n)各々は、第1導電型の第1半導体領域10と、第1半導体領域10上に形成され、第2導電型の不純物濃度が低く、長尺形状である第2半導体領域20と、第2半導体領域20の表面を覆うように、第2半導体領域20上に形成された第1導電型の第3半導体領域30と、第2半導体領域20から電荷を取り出すための第2導電型の第4半導体領域40とを備え、第4半導体領域40は、第2半導体領域20上において、長尺方向に複数離間して配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)