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1. (WO2010092901) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ET DE CORRECTION DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092901    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051635
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 04.02.2010
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Ichigaya-kagacho 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Takaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAMIZAWA, Hideyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MOHRI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORIKAWA, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYANO, Katsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Takaharu; (JP).
TAKAMIZAWA, Hideyoshi; (JP).
MOHRI, Hiroshi; (JP).
MORIKAWA, Yasutaka; (JP).
HAYANO, Katsuya; (JP)
Mandataire : YAMASHITA, Akihiko; c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM, 3rd Floor, Oak Building Kyobashi, 16-10, Kyobashi 1-chome, Chuou-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-033216 16.02.2009 JP
2009-207682 09.09.2009 JP
Titre (EN) PHOTOMASK AND METHODS FOR MANUFACTURING AND CORRECTING PHOTOMASK
(FR) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ET DE CORRECTION DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
(JA) フォトマスク、フォトマスクの製造方法及び修正方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a half-tone mask with a sub pattern, which is used for projection exposure which uses a modified illumination and in which an ArF excimer laser is used as a light source for exposure, and a method for manufacturing such a half-tone mask.  The half-tone mask is capable of forming a transferred image of a main pattern with a high contrast without resolving the sub pattern, while preserving the focal depth increasing effect by the sub pattern.  The photo mask is provided with a main pattern an image of which is transferred to an object surface on which an image is to be transferred by projection exposure and a sub pattern which is formed in the vicinity of the main pattern and an image of which is not transferred.  The main pattern and the sub pattern are formed of semitransparent films of the same material.  Light transmitted through the main pattern and light transmitted through a transparent area of a transparent substrate have a phase difference of 180 degrees and light transmitted through the sub pattern and light transmitted through the transparent area of the transparent substrate have a predetermined phase difference in the range of 70 to 115 degrees.
(FR)L'invention concerne un masque en demi-teinte à sous-motif, utilisé pour l'exposition par projection qui utilise un éclairage modifié et dans lequel un laser à excimères ArF est utilisé comme source de lumière pour l'exposition, et un procédé de fabrication tel qu'un masque demi-teinte. Le masque demi-teinte est capable de former une image transférée d'un motif principal avec un fort contraste sans résoudre le sous-motif, tout en conservant l'effet d'augmentation de la profondeur focale du sous-motif. Le masque photographique est doté d'un motif principal dont une image est transférée vers une surface d'objet sur laquelle une image doit être transférée par exposition par projection et d'un sous-motif qui est formé au voisinage du motif principal et dont une image n'est pas transférée. Le motif principal et le sous-motif sont formés de films semi-transparents du même matériau. La lumière émise à travers le motif principal et la lumière émise à travers une surface transparente d'un substrat transparent présentent un déphasage de 180 degrés et la lumière émise à travers le sous-motif et la lumière émise à travers la surface transparente du substrat transparent présentent un déphasage prédéterminé dans la plage de 70 à 115 degrés.
(JA) ArFエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられ、補助パターンとしての焦点深度拡大効果を保ちながら、補助パターンを解像させず、主パターンのコントラストの高い転写画像を形成できる補助パターンを有するハーフトーンマスクおよびその製造方法を提供する。 フォトマスクが、投影露光により転写対象面に転写される主パターンと、主パターンの近傍に形成され転写されない補助パターンとを設けたフォトマスクであって、主パターンと補助パターンとが同一材料よりなる半透明膜で構成されており、主パターンを透過する光と透明基板の透明領域を透過する光に180度の位相差を生じさせ、かつ補助パターンを透過する光と透明基板の透明領域を透過する光に70度~115度の範囲の所定の位相差を生じさせることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)