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1. (WO2010092899) DÉCOUPE POUR PHOTOMASQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PHOTOMASQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092899    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051625
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 04.02.2010
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), G03F 1/50 (2012.01), G03F 1/54 (2012.01)
Déposants : HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525 (JP) (Tous Sauf US).
HASHIMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWASHITA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HASHIMOTO, Masahiro; (JP).
SUZUKI, Toshiyuki; (JP).
IWASHITA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-030925 13.02.2009 JP
Titre (EN) PHOTOMASK BLANK AND FABRICATION METHOD THEREFOR, AND PHOTOMASK AND FABRICATION METHOD THEREFOR
(FR) DÉCOUPE POUR PHOTOMASQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PHOTOMASQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A photo mask blank, which is used to produce a photomask used with exposure light of 200 nm or lower wavelength, is equipped with a thin film on a transparent substrate, and the aforementioned thin film is made from a material that comprises silicon carbide and/or a transition metal carbide, containing a transition metal, silicon, and carbon.
(FR)La présente invention porte sur une découpe pour photomasque, utilisée pour produire un photomasque utilisé avec une lumière d'exposition de longueur d'onde de 200 nm ou moins, qui est pourvue d'un film mince sur un substrat transparent, et le film mince susmentionné est constitué d'un matériau qui comprend du carbure de silicium et/ou un carbure de métal de transition, contenant un métal de transition, du silicium et du carbone.
(JA) 波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクは、透光性基板上に薄膜を備え、前記薄膜は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び/又は遷移金属炭化物を有する材料からなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)