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1. (WO2010092891) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092891    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051519
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 03.02.2010
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1,Naeshiro-cho,Mizuho-ku,Nagoya-shi, Aichi 4678561 (JP) (Tous Sauf US).
Kurita Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Itagaki Motoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : Kurita Masaaki; (JP).
Itagaki Motoshi; (JP)
Mandataire : Muto Katsunori; 28-5,Kitaura-cho,Ichinomiya-shi, Aichi 4910901 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-028155 10.02.2009 JP
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機半導体素子、及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an organic semiconductor element wherein a protective film, which does not damage the organic semiconductor layer nor deteriorate the device characteristics, is formed.  Also disclosed is a method for manufacturing the organic semiconductor element.  Specifically disclosed is an organic semiconductor element (1) which comprises a substrate (2) and a gate electrode (3) that is formed on the upper surface of the substrate (2).  A gate insulating layer (4) is formed on the upper surface of the gate electrode (3) and the upper surface of the substrate (2).  A source electrode (7) and a drain electrode (8) are formed apart from each other on the upper surface of the gate insulating layer (4).  An organic semiconductor layer (6) is formed on the upper surface of the gate insulating layer (4) between the source electrode (7) and the drain electrode (8).  A protective film (10), which has a three-layer structure composed of a fluororesin layer (11), a water-soluble resin layer (12) and a glass coating layer (13) arranged in this order from the bottom, is formed on the upper surface of the organic semiconductor layer (6), the source electrode (7), the drain electrode (8) and the gate insulating layer (4).  A pixel electrode (21) is formed on the upper surface of the protective film (10), and the pixel electrode (21) is electrically connected to the source electrode (7) through a contact hole (31).
(FR)L'invention porte sur un élément à semi-conducteur organique dans lequel un film protecteur, qui n'endommage pas la couche semi-conductrice organique ni ne détériore les caractéristiques du dispositif, est formé. L'invention porte également sur un procédé de fabrication de l'élément à semi-conducteur organique. Un élément à semi-conducteur organique (1) est spécifiquement décrit qui comprend un substrat (2) et une électrode de grille (3) qui est formée sur la surface supérieure du substrat (2). Une couche isolante de grille (4) est formée sur la surface supérieure de l'électrode de grille (3) et la surface supérieure du substrat (2). Une électrode de source (7) et une électrode de drain (8) sont formées séparément l'une de l'autre sur la surface supérieure de la couche isolante de grille (4). Une couche semi-conductrice organique (6) est formée sur la surface supérieure de la couche isolante de grille (4) entre l'électrode de source (7) et l'électrode de drain (8). Un film protecteur (10), qui présente une structure à trois couches composée d'une couche de résine fluorée (11), d'une couche de résine soluble dans l'eau (12) et d'une couche de revêtement en verre (13) agencées dans cet ordre en partant du bas, est formé sur la surface supérieure de la couche semi-conductrice organique (6), l'électrode de source (7), l'électrode de drain (8) et la couche isolante de grille (4). Une électrode de pixel (21) est formée sur la surface supérieure du film protecteur (10), et l'électrode de pixel (21) est électriquement connectée à l'électrode de source (7) par l'intermédiaire d'un trou de contact (31).
(JA) 有機半導体層にダメージを与えず、デバイス特性を低下させることのない保護膜を形成した有機半導体素子及びその製造方法を提供する。有機半導体素子1は、基板2を有し、基板2の上面にはゲート電極3が設けられている。ゲート電極3の上面及び基板2の上面にはゲート絶縁層4が設けられている。ゲート絶縁層4の上面には、ソース電極7とドレイン電極8が離間して設けられている。ソース電極7とドレイン電極8に挟まれるゲート絶縁層4の上面には有機半導体層6が設けられている。有機半導体層6、ソース電極7、ドレイン電極8及びゲート絶縁層4の上面には下側からフッ素樹脂層11、水溶性樹脂層12、ガラスコーティング層13の3層構造の保護膜10が設けられている。保護膜10の上面には画素電極21が形成されており、この画素電極21は、コンタクトホール31により、ソース電極7と導通している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)