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1. (WO2010092856) UNITÉ À MICROPHONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092856    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050589
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 20.01.2010
CIB :
H04R 1/02 (2006.01), H04R 19/04 (2006.01)
Déposants : FUNAI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 7-7-1, Nakagaito, Daito-shi, Osaka 5740013 (JP) (Tous Sauf US).
INODA Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIBE Ryusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA Fuminori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIDA Tomio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INODA Takeshi; (JP).
HORIBE Ryusuke; (JP).
TANAKA Fuminori; (JP).
ISHIDA Tomio; (JP)
Mandataire : SANO Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-031614 13.02.2009 JP
Titre (EN) MICROPHONE UNIT
(FR) UNITÉ À MICROPHONE
(JA) マイクロホンユニット
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a microphone unit comprising a film substrate (11), electrically conductive layers (15, 16) which are formed on both substrate surfaces of the film substrate (11), and an electrical acoustic transducer unit (12) which is provided on the film substrate (11) and comprises a diaphragm capable of converting a sound pressure to an electrical signal.  In the microphone unit, the linear expansion coefficient of the film substrate (11) including the electrically conducive layers (15, 16) falls within the range from 0.8 to 2.5 times inclusive the linear expansion coefficient of the diaphragm.
(FR)L'invention porte sur une unité à microphone comprenant un substrat en film (11), des couches électriquement conductrices (15, 16) qui sont formées sur les deux surfaces de substrat du substrat en film (11), et une unité de transducteur électrique acoustique (12) qui est formée sur le substrat en film (11) et comprend une membrane capable de convertir une pression acoustique en un signal électrique. Dans l'unité à microphone, le coefficient de dilatation linéaire du substrat en film (11) comprenant les couches électriquement conductrices (15, 16) se trouve dans la plage de, inclus, 0,8 à 2,5 fois le coefficient de dilatation linéaire de la membrane.
(JA) マイクロホンユニットは、フィルム基板11と、フィルム基板11の両基板面に形成される導電層15、16と、フィルム基板11に実装され、音圧を電気信号に変換する振動板を含む電気音響変換部12と、を備える。導電層15、16を含めたフィルム基板11の線膨張係数が、前記振動板の線膨張係数の0.8倍以上2.5倍以下の範囲となっている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)