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1. (WO2010092707) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092707    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/067766
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 14.10.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi, Tokushima 7748601 (JP) (Tous Sauf US).
NOICHI, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKADA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIKI, Takahito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOICHI, Takuya; (JP).
OKADA, Yuichi; (JP).
MIKI, Takahito; (JP)
Mandataire : SHINJYU GLOBAL IP; South Forest Bldg., 1-4-19, Minamimori-machi, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-028687 10.02.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体発光装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device wherein higher luminous efficiency can be achieved.  Specifically disclosed is a semiconductor light-emitting device (10) comprising: a package (11) which contains at least a first insulating layer, a second insulating layer, conductive wires (14a, 14b) formed on the surface of the first insulating layer and an inner-layer wire arranged between the first insulating layer and the second insulating layer; a semiconductor light-emitting element (12) mounted on the first insulating layer of the package (11); and a sealing member (13) so formed on the package (11) as to cover the semiconductor light-emitting element (12).  The inner-layer wire is so formed as to avoid the region right below the peripheral region of the semiconductor light-emitting element (12).
(FR)La présente invention a trait à un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs permettant d'obtenir une efficacité lumineuse plus élevée. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (10) comprenant : un boîtier (11) qui contient au moins une première couche isolante, une seconde couche isolante, des fils conducteurs (14a, 14b) formés sur la surface de la première couche isolante et un fil de couche interne disposé entre la première couche isolante et la seconde couche isolante ; un élément électroluminescent à semi-conducteurs (12) monté sur la première couche isolante du boîtier (11) ; et un élément d'étanchéité (13) formé sur le boîtier (11) de manière à recouvrir l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (12). Le fil de couche interne est formé de manière à éviter la région se trouvant juste en dessous de la région périphérique de l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (12).
(JA) 高発光効率化を実現することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。少なくとも、第1絶縁層と、第2絶縁層と、前記第1絶縁層の表面に形成された導電配線14a、14bと、前記第1絶縁層と第2絶縁層との間に配置された内層配線とを含むパッケージ11、パッケージ11の第1絶縁層上に載置された半導体発光素子12及び半導体発光素子12を被覆するようにパッケージ11上に設けられた封止部材13を含む半導体発光装置10であって、前記内層配線が、前記半導体発光素子12の外周領域の直下領域を回避して配線されている半導体発光装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)