WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010092651) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092651    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/006554
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 02.12.2009
CIB :
H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/376 (2011.01), H04N 5/378 (2011.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KUBO, Hiroshi; (US Seulement)
Inventeurs : KUBO, Hiroshi;
Mandataire : NII, Hiromori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-031505 13.02.2009 JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像装置及び撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solid state imaging device and an imaging device wherein a longitudinal stripe occurring in an image can be reduced while suppressing black level shift. A solid state imaging device comprises a row comparing section (3) which is provided for each pixel signal read line (21) and determines whether the voltage of a pixel signal is lower than a determination reference voltage or not by comparing the voltage of the pixel signal with the determination reference voltage, a clip transistor (41) which is provided for each pixel signal read line (21) and limits the voltage of a pixel signal to a clip reference voltage, and a clip circuit operation changeover switch (42) which is provided for each pixel signal read line (21) and switches between operation and non-operation of the clip transistor (41), wherein the clip circuit operation changeover switch (42) operates the clip transistor (41) when the row comparing section (3) determines that the voltage of a pixel signal is lower than a determination reference voltage, and does not operate the clip transistor when the row comparing section (3) determines that the voltage of the pixel signal is not lower than the determination reference voltage.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et sur un dispositif d'imagerie, une bande longitudinale apparaissant dans une image pouvant être réduite tout en supprimant un décalage du niveau de noir. Un dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprend une section de comparaison de rangée (3), qui est fourni pour chaque ligne de lecture de signal de pixel (21) et détermine si la tension d'un signal de pixel est inférieure ou non à une tension de référence de détermination, par comparaison de la tension du signal de pixel à la tension de référence de détermination, un transistor d'écrêtage (41), qui est fourni pour chaque ligne de lecture de signal de pixel (21) et limite la tension d'un signal de pixel à une tension de référence d'écrêtage, et un commutateur de fonctionnement de circuit d'écrêtage (42), qui est fourni pour chaque ligne de lecture de signal de pixel (21) et commute entre un fonctionnement et un non-fonctionnement du transistor d'écrêtage (41). Le commutateur de fonctionnement de circuit d'écrêtage (42) fait fonctionner le transistor d'écrêtage (41) lorsque la section de comparaison de rangée (3) détermine que la tension d'un signal de pixel est inférieure à une tension de référence de détermination, et ne fait pas fonctionner le transistor d'écrêtage lorsque la section de comparaison de rangée (3) détermine que la tension du signal de pixel n'est pas inférieure à la tension de référence de détermination.
(JA) 黒レベルずれを抑圧しながら画像に発生する縦筋を低減することのできる固体撮像装置及び撮像装置を提供する。  本発明に係る固体撮像装置は、画素信号読み出し線(21)ごとに設けられ、画素信号の電圧と判定基準電圧とを比較し、画素信号の電圧が判定基準電圧より低いか否かを判定する列比較部(3)と、画素信号読み出し線(21)ごとに設けられ、画素信号の電圧をクリップ基準電圧に制限するクリップトランジスタ(41)と、画素信号読み出し線(21)ごとに設けられ、クリップトランジスタ(41)の動作及び非動作を切り替えるクリップ回路動作切替スイッチ(42)とを備え、クリップ回路動作切替スイッチ(42)は、列比較部(3)により画素信号の電圧が判定基準電圧より低いと判定された場合、クリップトランジスタ(41)を動作させ、列比較部(3)により画素信号の電圧が判定基準電圧以上と判定された場合、非動作とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)