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1. (WO2010092644) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET CAMÉRA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092644    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/005879
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 05.11.2009
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H04N 5/345 (2011.01), H04N 5/347 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
YONEMURA, Koichi; (US Seulement).
SUZUKI, Sei; (US Seulement)
Inventeurs : YONEMURA, Koichi; .
SUZUKI, Sei;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-030973 13.02.2009 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET CAMÉRA
(JA) 固体撮像装置及びカメラ
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state imaging device comprises a plurality of photoelectric conversion elements (103), a vertical transfer section (101), a horizontal transfer section (102), and a transfer control section (104) which controls transfer of charges from the vertical transfer section (101) to the horizontal transfer section (102).  The transfer control section (104) has a plurality of unit control sections (143) corresponding to transfer packets (123).  The unit control section (143) has a vertical transfer channel (111) and a plurality of control section electrodes (142) formed on the vertical transfer channel (111).  The control section electrode (142) includes a signal charge accumulation electrode (147) and a transfer block electrode (148) which are formed sequentially from the vertical transfer section (101) side.  Each vertical transfer channel (111) is connected with a horizontal transfer channel (121) independently. When transfer of charges from the vertical transfer section (101) to the horizontal transfer section (102) is stopped, a high-level voltage is applied to the signal charge accumulation electrode (147), and a low-level voltage is applied to the transfer block electrode (148).
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend une pluralité d'éléments (103) de conversion photoélectrique, une partie (101) transfert vertical, une partie (102) transfert horizontal et une partie (104) commande de transfert qui commande le transfert de charges, de la partie (101) transfert vertical vers la partie (102) transfert horizontal. La partie (104) commande de transfert comporte une pluralité de parties (143) commande d'unités correspondant aux paquets de transfert (123). La partie (143) commande d'unités comporte un canal (111) de transfert vertical et une pluralité d'électrodes (142) de partie de commande formées sur ce canal (111). L'électrode (142) de partie de commande comprend une électrode (147) d'accumulation de charge de signal et une électrode (148) de bloc de transfert formées séquentiellement depuis le côté partie (101) transfert vertical. Chaque canal (111) de transfert vertical est connecté indépendamment à un canal (121) de transfert horizontal. Quand le transfert de charges de la partie (101) transfert vertical vers la partie (102) transfert horizontal est arrêté, une tension élevée est appliquée à l'électrode (147) d'accumulation de charge de signal, et une basse tension est appliquée à l'électrode (148) du bloc de transfert.
(JA) 固体撮像装置は、複数の光電変換素子103と、垂直転送部101と、水平転送部102と、垂直転送部101から水平転送部102への電荷の転送を制御する転送制御部104とを備えている。転送制御部104は、転送パケット123と対応した複数の単位制御部143を有している。単位制御部143は、垂直転送チャネル111と、垂直転送チャネル111の上に形成された複数の制御部電極142とを有している。制御部電極142は、垂直転送部101側から順次形成された信号電荷蓄積電極147及び転送阻止電極148を含む。垂直転送チャネル111は、それぞれ独立して水平転送チャネル121と接続されている。垂直転送部101から水平転送部102への電荷の転送を停止する場合には、信号電荷蓄積電極147にハイレベルの電圧を印加し且つ転送阻止電極148にローレベルの電圧を印加する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)