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1. (WO2010092642) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092642    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/005828
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 02.11.2009
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8232 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBATA, Daisuke; (US Seulement).
MORITA, Tatsuo; (US Seulement).
YANAGIHARA, Manabu; (US Seulement).
UEMOTO, Yasuhiro; (US Seulement)
Inventeurs : SHIBATA, Daisuke; .
MORITA, Tatsuo; .
YANAGIHARA, Manabu; .
UEMOTO, Yasuhiro;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-031099 13.02.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is provided with: a semiconductor layer laminated body (105) formed on a substrate (101); a first ohmic electrode (111) and a second ohmic electrode (113) formed with a space therebetween on the semiconductor layer laminated body (105); a first control layer (117) formed between the first ohmic electrode (111) and the second ohmic electrode (113); and a first gate electrode (115) formed on the first control layer (117).  The first control layer (117) has: a lower layer (117a); a middle layer (117b), which is formed on the lower layer (117a) and has an impurity concentration lower than that of the lower layer (117a); and an upper layer (117c) which is formed on the middle layer (117b) and has an impurity concentration higher than that of the middle layer (117b).
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur équipé : d'un corps stratifié de couches semi-conductrices (105) formé sur un substrat (101) ; d'une première électrode ohmique (111) et d'une seconde électrode ohmique (113) entre lesquelles est formé un espace et qui se trouvent sur le corps stratifié de couche semi-conductrice (105) ; d'une première couche de commande (117) formée entre la première électrode ohmique (111) et la seconde électrode ohmique (113) ; et d'une première électrode de grille (115) formée sur la première couche de commande (117). La première couche de commande (117) est pourvue : d'une couche inférieure (117a) ; d'une couche centrale (117b), qui est formée sur la couche inférieure (117a) et qui a une concentration en impuretés inférieure à celle de la couche inférieure (117a) ; et d'une couche supérieure (117c) qui est formée sur la couche centrale (117b) et qui a une concentration en impuretés supérieure à celle de la couche centrale (117b).
(JA) 半導体装置は、基板101の上に形成された半導体層積層体105と、半導体層積層体105の上に互いに間隔をおいて形成された第1のオーミック電極111及び第2のオーミック電極113と、第1のオーミック電極111と第2のオーミック電極113との間に形成された第1のコントロール層117と、第1のコントロール層117の上に形成された第1のゲート電極115とを備えている。第1のコントロール層117は、下層117aと、下層117aの上に形成され、下層117aと比べて不純物濃度が低い中層117bと、中層117bの上に形成され、中層117bと比べて不純物濃度が高い上層117cとを有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)