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1. (WO2010092555) CELLULES SRAM ASYMETRIQUES COMPRENANT UN CMOS A QUATRE OU CINQ TRANSISTORS A JONCTIONS BIPOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092555    N° de la demande internationale :    PCT/IB2010/050668
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 15.02.2010
CIB :
G11C 11/00 (2006.01)
Déposants : ASA, Gil [IL/IL]; (IL)
Inventeurs : ASA, Gil; (IL)
Mandataire : DR. MARK FRIEDMAN LTD.; Moshe Aviv Tower, 54th Floor 7 Jabotinsky St. 52520 Ramat Gan (IL)
Données relatives à la priorité :
61/152,704 15.02.2009 US
Titre (EN) FOUR-TRANSISTOR AND FIVE-TRANSISTOR BJT-CMOS ASYMMETRIC SRAM CELLS
(FR) CELLULES SRAM ASYMETRIQUES COMPRENANT UN CMOS A QUATRE OU CINQ TRANSISTORS A JONCTIONS BIPOLAIRES
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell comprises asymmetric retention elements formed of bipolar junction transistors integrated with a CMOS transistor. The BJT transistors of the retention element may be vertically stacked. In one embodiment, the N region of two adjacent NPN BJT transistors may be connected to ground and may form a common emitter of the NPN BJT transistors while the P region of two adjacent PNP BJT transistors may be connected to high voltage and may form a common emitter of the PNP BJT transistors. For further compactness in one embodiment a base of one transistor doubles as a collector of another transistor. The retention element may have only a single bit line and a single write line, with no negative bit line. In some embodiments, a single inverter and only three transistors may form the retention element. Memory space may be cut approximately in half.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire comprenant des éléments de retenue asymétriques constitués de transistors à jonctions bipolaires intégrés avec un transistor CMOS. Le transistors à jonctions bipolaires de l'élément de retenue peuvent être empilés verticalement. Dans un mode de réalisation, la région N de deux transistors à jonctions bipolaires NPN adjacents peuvent être connectés à la terre et former un émetteur commun des transistors à jonctions bipolaires NPN alors que la région P de deux transistors à jonctions bipolaires PNP adjacents peuvent être connectées à haute tension et former un émetteur commun des transistors à jonctions bipolaires PNP. Dans un mode de réalisation, pour plus de compacité, la base d'un transistor constitue également le collecteur d'un autre transistor. L'élément de retenue peut comprendre seulement une ligne de bits unique et une ligne d'écriture unique, sans ligne de bits négative. Dans certains modes de réalisation, un inverseur unique et seulement trois transistors peuvent former l'élément de retenue. L'espace mémoire peut être réduit approximativement de moitié.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)