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1. (WO2010092420) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE IMAGE EN TON INVERSÉ PAR MASQUE DUR À L'AIDE DE POLYSILAZANES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/092420    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/005145
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 30.03.2009
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue Somerville, NJ 08876 (US)
Inventeurs : ABDALLAH, David, J.; (US).
DAMMEL, Ralph, R.; (US).
TAKANO, Yusuke; (JP).
LI, Jin; (JP).
KUROSAWA, Kazunori; (JP)
Données relatives à la priorité :
12/368,720 10.02.2009 US
Titre (EN) A HARDMASK PROCESS FOR FORMING A REVERSE TONE IMAGE USING POLYSILAZANE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE IMAGE EN TON INVERSÉ PAR MASQUE DUR À L'AIDE DE POLYSILAZANES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a process for forming an reverse tone image on a device comprising; a) forming an optional absorbing organic underlayer on a substrate; b) forming a coating of a photoresist over the underlayer; c) forming a photoresist pattern; d) forming a polysilazane coating over the photoresist pattern from a polysilazane coating composition, where the polysilazane coating is thicker than the photoresist pattern, and further where the polysilazane coating composition comprises a silicon/nitrogen polymer and an organic coating solvent; e) etching the polysilazane coating to remove the polysilazane coating at least up to a level of the top of the photoresist such that the photoresist pattern is revealed; and, f) dry etching to remove the photoresist and the underlayer which is beneath the photoresist, thereby forming an opening beneath where the photoresist pattern was present. The invention further relates to a product of the above process and to a microelectronic device made from using the above process.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une image en ton inversé, sur un dispositif, qui consiste à : a) à former une sous-couche organique absorbante facultative sur un substrat; b) à former un revêtement de résine photosensible sur la sous-couche; c) à former un motif de résine photosensible; d) à former un revêtement de polysilazanes sur le motif de résine photosensible à partir d'une composition de revêtement de polysilazanes, le revêtement de polysilazanes étant plus épais que le motif de résine photosensible, et en outre la composition de revêtement de polysilazanes comportant un polymère silicium/azote et un solvant organique de revêtement; e) à effectuer la gravure du revêtement de polysilazanes pour éliminer le revêtement de polysilazanes au moins jusqu'au niveau de la partie supérieure de la résine photosensible de telle sorte que le motif de résine photosensible est révélé, et f) à effectuer une gravure sèche pour éliminer la résine photosensible et la sous-couche qui est au-dessous de la résine photosensible, formant ainsi une ouverture au-dessous, là où était présent le motif de résine photosensible. L'invention concerne en outre un produit du procédé ci-dessus et un dispositif microélectronique obtenu à l'aide du procédé ci-dessus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)