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1. (WO2010091967) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ENCAPSULÉ À COUCHE D'ARRÊT BRASÉE, ET PROCÉDÉ CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/091967    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/051116
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 29.01.2010
CIB :
H01L 33/62 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
ZITZLSPERGER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SPERL, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ZITZLSPERGER, Michael; (DE).
SPERL, Matthias; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss Nr. 175 Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102009008738.9 12.02.2009 DE
Titre (DE) VERKAPSELTE OPTOELEKETRONISCHE HALBLEITERANORDNUNG MIT LÖTSTOPPSCHICHT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN
(EN) ENCAPSULATED OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT HAVING SOLDER STOP LAYER AND CORRESPONDING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ENCAPSULÉ À COUCHE D'ARRÊT BRASÉE, ET PROCÉDÉ CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Es ist eine Halbleiteranordnung mit zumindest einer Leiteranordnung (2) und einem Halbleiterelement (3) vorgesehen, das auf der Leiteranordnung befestigt und elektrisch leitend verbunden ist. Eine Lötstoppschicht (5) und eine Kapselmasse (6) sind auf der Leiteranordnung (2) aufgebracht, wobei die Kapselmasse (6) das Halbleiterelement (3) abgedeckt und an der Lötstoppschicht (5) zumindest teilweise aufliegt. Weiterhin ist ein entsprechendes Herstellungsverfahren vorgesehen.
(EN)The invention relates to a semiconductor arrangement having at least one conductor arrangement (2) and one semiconductor element (3) that is fastened to the conductor arrangement and connected in an electrically conductive manner. A solder stop layer (5) and an encapsulation mass (6) are attached to the conductor arrangement (2), wherein the encapsulation mass (6) covers the semiconductor element (3) and lies at least partially on the solder stop layer (5). The invention further relates to a corresponding production method.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant au moins un dispositif conducteur (2) et un élément semi-conducteur (3) qui est fixé sur le dispositif conducteur et qui est relié de manière électroconductrice. Une couche d'arrêt brasée (5) et une matière d'encapsulation (6) sont appliquées sur le dispositif conducteur (2), la matière d'encapsulation (6) recouvrant l'élément semi-conducteur (3) et s'appliquant au moins partiellement sur la couche d'arrêt brasée (5). L'invention concerne en outre un procédé de production correspondant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)