WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010091918) PROCÉDÉ ET STRUCTURE POUR FORMER DES DISPOSITIFS SUR LE CÔTÉ AVANT ET DES CONDENSATEURS SUR LE CÔTÉ ARRIÈRE D'UNE TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/091918    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/050627
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 20.01.2010
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/07 (2006.01), H01L 21/334 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
BOOTH, Roger, Allen, Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHENG, Kangguo [CN/US]; (US) (US Seulement).
HANNON, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
TODI, Ravi [IN/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Geng [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOOTH, Roger, Allen, Jr.; (US).
CHENG, Kangguo; (US).
HANNON, Robert; (US).
TODI, Ravi; (US).
WANG, Geng; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/370,024 12.02.2009 US
Titre (EN) METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DEVICES ON THE FRONT SIDE AND CAPACITORS ON THE BACK SIDE OF A WAFER
(FR) PROCÉDÉ ET STRUCTURE POUR FORMER DES DISPOSITIFS SUR LE CÔTÉ AVANT ET DES CONDENSATEURS SUR LE CÔTÉ ARRIÈRE D'UNE TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor structure includes providing a wafer (100). Devices (125) are formed on a front side of the wafer. A through-silicon-via (120) is formed on a substrate of the wafer. Deep trenches are formed on a back side of the wafer. A deep trench capacitor (170) is formed in the deep trenches. The through-silicon-via connects the deep trench capacitor to the devices.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une structure semi-conductrice qui consiste à utiliser une tranche (100). Des dispositifs (125) sont formés sur un côté avant de la tranche. Un trou d'interconnexion à travers silicium (120) est formé sur un substrat de la tranche. Des tranchées profondes sont formées sur un côté arrière de la tranche. Un condensateur en tranchée profonde (170) est formé dans les tranchées profondes. Le trou d'interconnexion à travers silicium connecte le condensateur en tranchée profonde aux dispositifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)