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1. (WO2010091755) COMMUTATEUR RADIOFRÉQUENCE SILICIUM SUR ISOLANT À DISTORSION DE SIGNAL RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/091755    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/066740
Date de publication : 19.08.2010 Date de dépôt international : 09.12.2009
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
NOWAK, Edward [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NOWAK, Edward; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/369,249 11.02.2009 US
Titre (EN) SOI RADIO FREQUENCY SWITCH WITH REDUCED SIGNAL DISTORTION
(FR) COMMUTATEUR RADIOFRÉQUENCE SILICIUM SUR ISOLANT À DISTORSION DE SIGNAL RÉDUITE
Abrégé : front page image
(EN)A doped semiconductor region having a same conductivity type as a bottom semiconductor layer is formed underneath a buried insulator layer in a bottom semiconductor layer of a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate. At least one conductive via structure is formed, which extends from a interconnect-level metal line through a middle-of-line (MOL) dielectric layer, a shallow trench isolation structure in a top semiconductor layer, and a buried insulator layer to the doped semiconductor region. The shallow trench isolation structure laterally abuts at least one field effect transistor that functions as a radio frequency (RF) switch. During operation, the doped semiconductor region is biased at a voltage that keeps an induced charge layer within the bottom semiconductor layer in a depletion mode and avoids an accumulation mode. Elimination of electrical charges in an accumulation mode during half of each frequency cycle reduces harmonic generation and signal distortion in the RF switch.
(FR)Une région semi-conductrice dopée ayant le même type de conductivité qu'une couche semi-conductrice de fond est formée sous une couche d'isolant enterrée dans une couche semi-conductrice de fond d'un substrat silicium sur isolant (SOI). Au moins une structure de trou d'interconnexion conductrice est formée et s'étend à partir d'une ligne métallique au niveau de l'interconnexion en passant par une couche diélectrique de milieu de ligne (MOL), une structure isolante de tranchée peu profonde dans une couche semi-conductrice supérieure, et une couche d'isolant enterrée jusqu'à la région semi-conductrice dopée. La structure isolante de tranchée peu profonde vient en butée latéralement contre au moins un transistor à effet de champ qui fonctionne en tant que commutateur radiofréquence (RF). Lors du fonctionnement, la région semi-conductrice dopée est polarisée à une tension qui maintient une couche à charge induite à l'intérieur de la couche semi-conductrice de fond en mode appauvrissement et évite un mode accumulation. L'élimination des charges électriques en mode accumulation au cours de la moitié de chaque cycle de fréquence réduit la génération d'harmoniques et la distorsion de la durée d'un signal dans le commutateur RF.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)