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1. (WO2010091405) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE MÉTROLOGIE POUR CARACTÉRISATION DE NANOMATÉRIAU DE STRUCTURES D'ÉLECTRODE DE STOCKAGE D'ÉNERGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/091405    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/023630
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 09.02.2010
CIB :
H01G 4/005 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
LOPATIN, Sergey D. [BY/US]; (US) (US Seulement).
BREVNOV, Dmitri A. [RU/US]; (US) (US Seulement).
CASAVANT, Eric [US/US]; (US) (US Seulement).
BACHRACH, Robert Z. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LOPATIN, Sergey D.; (US).
BREVNOV, Dmitri A.; (US).
CASAVANT, Eric; (US).
BACHRACH, Robert Z.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
12/368,105 09.02.2009 US
Titre (EN) METROLOGY METHODS AND APPARATUS FOR NANOMATERIAL CHARACTERIZATION OF ENERGY STORAGE ELECTRODE STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE MÉTROLOGIE POUR CARACTÉRISATION DE NANOMATÉRIAU DE STRUCTURES D'ÉLECTRODE DE STOCKAGE D'ÉNERGIE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments described herein generally relate to methods and apparatus for forming an electrode structure used in an energy storage device. More particularly, embodiments described herein relate to methods and apparatus for characterizing nanomaterials used in forming high capacity electrode structures for energy storage devices. In one embodiment a process for forming an electrode structure for an energy storage device is provided. The process comprises depositing a columnar metal structure over a substrate at a first current density by a diffusion limited deposition process, measuring a capacitance of the columnar metal structure to determine a surface area of the columnar metal structure, and depositing three dimensional porous metal structures over the columnar metal structure at a second current density greater than the first current density.
(FR)Des modes de réalisation décrits dans l'invention portent de façon générale sur des procédés et un appareil destinés à former une structure d'électrode utilisée dans un dispositif de stockage d'énergie. En particulier, des modes de réalisation décrits dans l'invention portent sur des procédés et un appareil destinés à caractériser des nanomatériaux utilisés dans la formation de structures d'électrode de forte capacité pour dispositifs de stockage d'énergie. Dans un mode de réalisation, un procédé de formation d'une structure d'électrode pour dispositif de stockage d'énergie est décrit. Le procédé comprend le dépôt d'une structure métallique colonnaire sur un substrat à une première densité de courant par un procédé de dépôt limité par la diffusion, la mesure d'une capacité de la structure métallique colonnaire afin de déterminer une surface de la structure métallique colonnaire, et le dépôt de structures métalliques poreuses tridimensionnelles sur la structure métallique colonnaire à une seconde densité de courant supérieure à la première densité de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)