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1. (WO2010091247) COUCHE DE PASSIVATION À CHARGE NÉGATIVE DANS UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/091247    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/023311
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 05.02.2010
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
BORDEN, Peter, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
OLSEN, Christopher, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BORDEN, Peter, G.; (US).
OLSEN, Christopher, S.; (US)
Mandataire : SERVILLA, Scott, S.; Diehl Servilla LLC 33 Wood Ave South Second Floor, Suite 210 Iselin, NJ 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
12/367,064 06.02.2009 US
Titre (EN) NEGATIVELY CHARGED PASSIVATION LAYER IN A PHOTOVOLTAIC CELL
(FR) COUCHE DE PASSIVATION À CHARGE NÉGATIVE DANS UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention are directed to methods and apparatus for processing of a solar substrate for making a photovoltaic device. In particular, methods and apparatus for creating a negatively charged passivation layer by are provided.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention ont trait à des procédés et à un appareil permettant de traiter un substrat solaire afin de réaliser un dispositif photovoltaïque. En particulier, la présente invention a trait à des procédés et à un appareil permettant de créer une couche de passivation à charge négative.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)