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1. (WO2010091116) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MATÉRIAU ANODIQUE POUR UNE BATTERIE AU LITHIUM-ION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/091116    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/023096
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 03.02.2010
CIB :
H01M 4/48 (2010.01), H01M 4/04 (2006.01), H01M 10/0525 (2010.01)
Déposants : THE FLORIDA INTERNATIONAL UNIVERSITY BOARD OF TRUSTEES [US/US]; University Park, PC511 Miami, FL 33199 (US) (Tous Sauf US).
WANG, Chunlei [CN/US]; (US) (US Seulement).
YU, Yan [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Chunlei; (US).
YU, Yan; (US)
Mandataire : BURNETTE, Jennifer; Marshall, Gerstein & Borun LLP 233 S. Wacker Drive, Suite 6300 Sears Tower Chicago, IL 60606-6357 (US)
Données relatives à la priorité :
61/149,612 03.02.2009 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING AN ANODE MATERIAL FOR A LITHIUM ION BATTERY
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MATÉRIAU ANODIQUE POUR UNE BATTERIE AU LITHIUM-ION
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a three dimensional porous thin film can include depositing a precursor solution on a substrate through a nozzle having a voltage applied thereto. The precursor solution is deposited through the nozzle as a spray. The precursor solution includes a first solution comprising My+ ions and a second solution having a lower boiling point than the first solution The method can further includes heating the deposited precursor solution under conditions sufficient to oxidize the M'' ions of the first solution and remove the second solution, thereby forming a three dimensional porous thin film represented by the formula MxOy, w herein M is a transition metal or a semiconductor, O is oxygen, x is in a range of 1 to 3, and y is in a range of 1 to 4.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un film mince tridimensionnel poreux comprenant le dépôt d'une solution précurseur sur un substrat à travers une buse à laquelle une tension est appliquée. La solution précurseur est déposée à travers la buse sous forme pulvérisée. La solution précurseur comporte une première solution comprenant des ions My+ et une seconde solution ayant un point d'ébullition inférieur à celui de la première solution. Le procédé comprend également le chauffage de la solution précurseur déposée dans des conditions suffisantes pour oxyder les ions My+ de la première solution et éliminer la seconde solution, permettant ainsi la formation d'un film mince tridimensionnel poreux représenté par la formule MxOy, où M est un métal de transition ou un semi-conducteur, O est oxygène, x est compris entre 1 et 3, et y est compris entre 1 et 4.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)