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1. (WO2010090781) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT DE RÉDUIRE AU MINIMUM LA CONTAMINATION DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/090781    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/020098
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 05.01.2010
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : ASM AMERICA, INC. [US/US]; 3440 E. University Drive Phoenix, AZ 85034-7200 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : REED, Joseph, C.; (US).
SHERO, Eric; (US)
Mandataire : ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP 2040 Main Street 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
12/368,081 09.02.2009 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MINIMIZING CONTAMINATION IN SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT DE RÉDUIRE AU MINIMUM LA CONTAMINATION DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor processing apparatus includes a reaction chamber, a loading chamber, a movable support, a drive mechanism, and a control system. The reaction chamber includes a baseplate. The baseplate includes an opening. The movable support is configured to hold a workpiece. The drive mechanism is configured to move a workpiece held on the support towards the opening of the baseplate into a processing position. The control system is configured to create a positive pressure gradient between the reaction chamber and the loading chamber while the workpiece support is in motion. Purge gases flow from the reaction chamber into the loading chamber while the workpiece support is in motion. The control system is configured to create a negative pressure gradient between the reaction chamber and the loading chamber while the workpiece is being processed. Purge gases can flow from the loading chamber into the reaction chamber while the workpiece support is in the processing position, unless the reaction chamber is sealed from the loading chamber in the processing position.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement de semi-conducteurs comprenant une chambre de réaction, une chambre de chargement, un support mobile, un mécanisme d'entraînement et un système de commande. La chambre de réaction comprend une plaque de base. La plaque de base comprend une ouverture. Le support mobile est conçu pour maintenir une pièce à usiner. Le mécanisme d'entraînement est conçu pour déplacer une pièce à usiner maintenue sur le support vers l'ouverture de la plaque de base pour atteindre une position de traitement. Le système de commande est conçu pour créer un gradient de pression positive entre la chambre de réaction et la chambre de chargement tandis que le support de la pièce à usiner est en mouvement. Des gaz purgés circulent depuis la chambre de réaction jusqu'à l'intérieur de la chambre de chargement tandis que le support de la pièce à usiner est en mouvement. Le système de commande est conçu pour créer un gradient de pression négative entre la chambre de réaction et la chambre de chargement tandis que la pièce à usiner est en cours de traitement. Des gaz purgés peuvent circuler de la chambre de chargement jusqu'à l'intérieur de la chambre de réaction tandis que le support de la pièce à usiner est dans la position de traitement, à moins que la chambre de réaction ne soit fermée de manière étanche par rapport à la chambre de chargement dans la position de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)