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1. (WO2010090170) CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/090170    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051389
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 02.02.2010
CIB :
H01L 31/068 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
AGUI, Takaaki; (US Seulement).
TAKAMOTO, Tatsuya; (US Seulement)
Inventeurs : AGUI, Takaaki; .
TAKAMOTO, Tatsuya;
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-026416 06.02.2009 JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
(FR) CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体太陽電池および化合物半導体太陽電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a compound semiconductor solar cell and a manufacturing method thereof. The compound semiconductor solar cell is equipped with a first compound semiconductor photoelectric conversion cell (40a), a second compound semiconductor photoelectric conversion cell (40b) provided above the first compound semiconductor photoelectric conversion cell (40a), and a compound semiconductor buffer layer (41) provided between the first compound semiconductor photoelectric conversion cell (40a) and the second compound semiconductor photoelectric conversion cell (40b). The first compound semiconductor photoelectric conversion cell (40a) and the compound semiconductor buffer layer (41) are disposed in adjacent positions. The lattice constant difference ratio between the first compound semiconductor photoelectric conversion cell (40a) and a compound semiconductor layer (30) which is disposed at the position closest to the first compound semiconductor photoelectric conversion cell (40a), of the compound semiconductor layers which constitute the compound semiconductor buffer layer (41), is 0.15‑0.74%.
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire à semi-conducteur composé et sur son procédé de fabrication. La cellule solaire à semi-conducteur composé comprend une première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a), une seconde cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40b) placée au-dessus de la première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a), et une couche tampon de semi-conducteur composé (41) placée entre la première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a) et la seconde cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40b). La première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a) et la couche tampon de semi-conducteur composé (41) sont placées en des positions adjacentes. Le rapport de différence de constante de réseau entre la première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a) et une couche de semi-conducteur composé (30) qui est agencée au niveau de la position la plus proche de la première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a), parmi les couches de semi-conducteur composé qui constituent la couche tampon de semi-conducteur composé (41), est de 0,15-0,74 %.
(JA) 第1の化合物半導体光電変換セル(40a)と、第1の化合物半導体光電変換セル(40a)上に設置された第2の化合物半導体光電変換セル(40b)と、第1の化合物半導体光電変換セル(40a)と第2の化合物半導体光電変換セル(40b)との間に設置された化合物半導体バッファ層(41)とを備え、第1の化合物半導体光電変換セル(40a)と化合物半導体バッファ層(41)とは隣り合う位置に設置されており、第1の化合物半導体光電変換セル(40a)と、化合物半導体バッファ層(41)を構成する化合物半導体層のうち第1の化合物半導体光電変換セル(40a)に最も近い位置に設置されている化合物半導体層(30)との格子定数差比が0.15%以上0.74%以下である化合物半導体太陽電池とその製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)