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1. (WO2010090166) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/090166    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051383
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 02.02.2010
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2006.01)
Déposants : Rosnes Corporation [JP/JP]; 5-1, Yamanouchiyoro-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6150081 (JP) (Tous Sauf US).
OHTA, Sougo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHTA, Sougo; (JP)
Mandataire : KOUNO, Hiroaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-023512 04.02.2009 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a solid-state image pickup device that makes it possible to reduce the pixel size without degrading the reading performance, by making it possible to increase the width of a transfer transistor (3), since the length of the edge on the transfer transistor (3) side of the photodiode (2) is longer than the edge on the opposite side of the photodiode (2). As a result, the efficient pixel layout of this solid-state image pickup device makes it possible to further reduce the size of the pixels.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs qui permet de réduire la taille de pixel sans dégrader les performances de lecture, en rendant possible d'augmenter la largeur d'un transistor de transfert (3), étant donné que la longueur du bord côté transistor de transfert (3) de la photodiode (2) est plus grande que celle du bord du côté opposé de la photodiode (2). Ainsi, la topologie de pixel efficace de ce dispositif de capture d'image à semi-conducteurs permet de réduire davantage la taille des pixels.
(JA)本発明の1つの固体撮像装置によれば、転送用トランジスタ3側のフォトダイオード2の1辺の長さがその辺に対向するフォトダイオード2の1辺の長さより長いため、転送用トランジスタ3の幅を大きくできることにより、読み出し特性を劣化させることなく、画素サイズの微細化が可能となる。その結果、本発明の1つの固体撮像装置によれば、効率的な画素レイアウトにより、さらなる画素の微細化が図れる固体撮像装置を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)