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1. (WO2010090146) COMPOSITION DE DÉCAPAGE DE RÉSIST ET PROCÉDÉ DE DÉCAPAGE DE RÉSIST UTILISANT CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/090146    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051274
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 29.01.2010
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
FUJIOKA, Toyozo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASAKI, Hayato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJIOKA, Toyozo; (JP).
YAMASAKI, Hayato; (JP)
Mandataire : OHTANI, Tamotsu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-022428 03.02.2009 JP
2009-141030 12.06.2009 JP
Titre (EN) RESIST REMOVER COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVING RESIST USING SAME
(FR) COMPOSITION DE DÉCAPAGE DE RÉSIST ET PROCÉDÉ DE DÉCAPAGE DE RÉSIST UTILISANT CELLE-CI
(JA) レジスト剥離剤組成物及びそれを用いたレジスト剥離方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a resist remover composition which contains an amide-based solvent (A) represented by formula (1) and an organic amine compound (B).  Also disclosed is a method for removing a resist, which is characterized by using the resist remover composition.  The resist remover composition exhibits sufficient removing performance even when a resist is dissolved therein, and can be used for a long time.  The method for removing a resist uses the resist remover composition. (In the formula, R1 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1-6 carbon atoms; R2 and R3 each independently represents a linear or branched alkyl group having 1-3 carbon atoms; and n represents an integer of 0-2.)
(FR)L'invention porte sur une composition de décapage de résist qui contient un solvant à base d'amide (A) représenté par la formule (1) et un composé amine organique (B). L'invention porte également sur un procédé de décapage d'un résist, qui est caractérisé en ce qu'il utilise la composition de décapage de résist. La composition de décapage de résist présente une performance de décapage suffisante même lorsqu'un résist est dissous dans celle-ci, et peut être utilisée pendant une longue durée. Le procédé de décapage de résist utilise la composition de décapage de résist. (Dans la formule, R1 représente un groupe alkyle linéaire, ramifié ou cyclique ayant 1-6 atomes de carbone ; R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle linéaire ou ramifié ayant 1-3 atomes de carbone ; et n représente un entier de 0-2).
(JA) 下記式(1)で表されるアミド系溶剤(A)及び有機アミン化合物(B)を含有するレジスト剥離剤組成物、そのレジスト剥離剤組成物を用いことを特徴とするレジスト剥離方法であり、レジストが溶解した状態でも充分な剥離性能が得られる、長期間使用可能なレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたレジスト剥離方法を提供する。 (式中、R1は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状又は環状アルキル基であり、R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1~3の直鎖状又は分岐状アルキル基である。nは0~2の整数である。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)