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1. (WO2010090142) SUBSTRAT AVEC FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE EN COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/090142    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051259
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 29.01.2010
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01), H05B 33/28 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP) (Tous Sauf US).
MEGURO,Tomomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO,Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MEGURO,Tomomi; (JP).
YAMAMOTO,Kenji; (JP)
Mandataire : UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-022642 03.02.2009 JP
2009-298265 28.12.2009 JP
Titre (EN) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) SUBSTRAT AVEC FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE EN COUCHE MINCE
(JA) 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a substrate with a transparent conductive film, wherein a base layer (2) and a transparent conductive film (4) are laminated in this order on a light-transmitting insulating substrate (1).  The transparent conductive film (4)-side surface of the base layer (2) is provided with a pyramid-shaped or inverse pyramid-shaped recess/projection structure, and the transparent conductive film (4) comprises a first transparent electrode layer (4a) which is formed on the base layer and a second transparent electrode layer (4b) which forms the outermost surface of the transparent conductive film.  By forming a zinc oxide layer that serves as the second transparent electrode layer (4b) by a reduced pressure CVD method, a substrate with a transparent conductive film (4) that is provided with a recess/projection structure smaller than that of the base layer (2) can be obtained. The substrate with a transparent conductive film can improve the conversion efficiency of a photoelectric conversion device through the light trapping effect obtained by increasing the optical path for the light incident on the photoelectric conversion layer over a wide wavelength range.
(FR)L'invention porte sur un substrat avec un film conducteur transparent, dans lequel une couche de base (2) et un film conducteur transparent (4) sont laminés dans cet ordre sur un substrat isolant transmettant la lumière (1). La surface côté film conducteur transparent (4) de la couche de base (2) comporte une structure de cavité/saillie en forme de pyramide ou en forme de pyramide inversée, et le film conducteur transparent (4) comprend une première couche d'électrode transparente (4a) qui est formée sur la couche de base et une seconde couche d'électrode transparente (4b) qui forme la surface la plus externe du film conducteur transparent. Par formation d'une couche d'oxyde de zinc qui sert de seconde couche d'électrode transparente (4b) par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite, un substrat avec un film conducteur transparent (4) qui comporte une structure à cavité/projection inférieure à celle de la couche de base (2) peut être obtenue. Le substrat avec un film conducteur transparent peut améliorer l'efficacité de conversion d'un dispositif de conversion photoélectrique à travers l'effet de piège de lumière obtenu par augmentation du trajet optique pour la lumière incidente sur la couche de conversion photoélectrique sur une plage de longueurs d'onde large.
(JA) 本発明の透明導電膜付き基板は、透光性絶縁基板1上に、下地層2および透明導電膜4がこの順に積層されている。下地層2の透明導電膜4側表面はピラミッド型又は逆ピラミッド型の凹凸構造が形成されており、透明導電膜4は、下地層上に形成された第1の透明電極層4aと、透明導電膜最表面の第2の透明電極層4bを有する。第2の透明電極層4bとして、減圧CVD法により酸化亜鉛層が形成されることで、下地層2よりも小さな凹凸構造を有する透明導電膜4付き基板が得られる。 本発明によれば、広い波長領域にわたって光電変換層に入射する光の光路長を増大させ、光閉じ込め効果によって光電変換装置の変換効率を向上し得る透明導電膜付き基板が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)