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1. (WO2010090101) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE EN FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION APPARENTÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/090101    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050976
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 26.01.2010
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP) (Tous Sauf US).
KUCHIYAMA Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MEGURO Tomomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUCHIYAMA Takashi; (JP).
YAMAMOTO Kenji; (JP).
MEGURO Tomomi; (JP)
Mandataire : FUJITA Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-026150 06.02.2009 JP
Titre (EN) THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE EN FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION APPARENTÉ
(JA) 薄膜光電変換装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a thin film photoelectric conversion device wherein a highly transparent and highly durable transparent electrically conductive oxide layer is formed between the photoelectric conversion unit and the back surface electrode to improve photoelectric efficiency. A silicon-containing layer that has zinc oxide as the main component is introduced as the transparent electrically conductive oxide layer between the photoelectric conversion layer and the back surface electrode. With respect to zinc atoms, 2.0‑8.0 atom% of silicon atoms is included. A highly transparent and highly durable transparent electrically conductive oxide layer can be formed, since the silicon is essentially tetravalent when seen in the Si2P½ peak in X-ray photoelectron spectroscopy of the transparent electrically conductive oxide.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique en film mince, dans lequel une couche d'oxyde conducteur de l'électricité, transparente, à transparence élevée et à durabilité élevée, est formée entre l'unité de conversion photoélectrique et l'électrode de surface arrière pour améliorer le rendement photoélectrique. Une couche contenant du silicium qui a un oxyde de zinc en tant que composant principal est introduite en tant que couche d'oxyde conducteur de l'électricité transparente entre la couche de conversion photoélectrique et l'électrode de surface arrière. Par rapport à des atomes de zinc, 2.0 à 8.0 % en nombre d'atomes d'atomes de silicium sont inclus. Une couche d'oxyde conducteur de l'électricité transparente, à transparence élevée et à durabilité élevée, peut être formée, étant donné que le silicium est facilement tétravalent lorsqu'il est vu dans le pic Si2P½ en spectroscopie photoélectronique par rayon X de l'oxyde conducteur de l'électricité transparent.
(JA) 薄膜光電変換装置において、発電効率を向上するために、光電変換ユニットと裏面電極間に高透明かつ高耐久性の透明導電性酸化物層を形成する。 光電変換ユニットと裏面電極の間に珪素を含有する酸化亜鉛を主成分とする層を透明導電性酸化物層として導入する。亜鉛原子に対して2.0~8.0atom%の珪素原子が含まれている。透明導電性酸化物のX線光電子分光Si2P1/2ピークから見て、珪素が実質4価であることで、高透明かつ高耐久性の透明導電性酸化物層を形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)