WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010089960) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF TENANT COMPTE DES EFFETS DE FAISCEAUX D'ÉLECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/089960    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/000281
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 20.01.2010
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), H01J 37/22 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (Tous Sauf US).
ANDO, Tohru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAJIMA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ANDO, Tohru; (JP).
SASAJIMA, Masahiro; (JP)
Mandataire : INOUE, Manabu; C/O HITACHI,LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-025496 06.02.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INSPECTION METHOD AND DEVICE THAT CONSIDER THE EFFECTS OF ELECTRON BEAMS
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF TENANT COMPTE DES EFFETS DE FAISCEAUX D'ÉLECTRONS
(JA) 電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a device capable of probing with minimal effect from electron beams. Coarser probing is made possible using a lower magnification than the magnification normally seen. When inspecting a desired semiconductor contact, normally the probe, not the stage, is moved to center the measurement site in the screen. With increased refinement, contacts can only be checked at high magnification, and while probes can conversely perform low-magnification checks, real-time display is needed. Low-magnification probing can be realized by displaying, using the target contact necessary for probing and the probe characteristics, a synthesized image of one still image at high-magnification and an image resulting from acquiring an image in real time at low magnification, whereby accurate electrical characteristics can be acquired with minimal effect from electron beams.
(FR)La présente invention concerne un dispositif capable de sonder, avec un effet minimal des faisceaux d'électrons. Un sondage plus grossier est rendu possible par l'utilisation d'un agrandissement inférieur à celui normalement constaté. Lors de l'inspection d'un contact semi-conducteur souhaité, normalement la sonde, et non la platine, est déplacée pour centrer le site de mesure à l'écran. En augmentant l'affinage, les contacts ne peuvent être vérifiés qu'avec un fort agrandissement, tandis que les sondes peuvent, à l'inverse, effectuer des vérifications à faible agrandissement, l'affichage en temps réel est nécessaire. Le sondage à faible agrandissement peut être mis en oeuvre par affichage, à l'aide du contact cible nécessaire pour le sondage et des caractéristiques de sonde, d'une image synthétisée d'une image fixe à fort agrandissement et d'une image résultant de l'acquisition d'une image en temps réel à faible agrandissement, des caractéristiques électriques précises pouvant ainsi être acquises avec un effet minimal des faisceaux d'électrons.
(JA) 電子線の影響を少なくしてプロービングできる装置を提供する。 通常見る倍率よりも低倍の倍率を利用してプロービングの粗寄せができる。 目標となる半導体のコンタクトを検出すると、通常、測定位置を画面の中心にしてステージは移動しないで、プローブを移動する。微細化により、コンタクトは高倍でしか確認できないが、プローブは反対に低倍で確認できるがリアルタイムに表示する必要がある。プロービングに必要な目標コンタクトとプローブの特性から高倍で1回の静止画と低倍でリアルタイムに画像を取得した画像を合成して表示したことで、低倍でのプロービングが実現できたことで、電子線の影響を少なくし、正しい電気特性を取得することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)