WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010088765) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN POINÇON POUR GAUFRAGE À CHAUD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/088765    N° de la demande internationale :    PCT/CA2010/000144
Date de publication : 12.08.2010 Date de dépôt international : 03.02.2010
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), G03F 1/00 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNING COUNCIL OF THE UNIVERSITY OF TORONTO [CA/CA]; Simcoe Hall, Room 133S 27 King's College Circle Toronto, Ontario M5S 1A1 (CA) (Tous Sauf US).
GREENER, Jesse [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
LI, Wei [CN/CA]; (CA) (US Seulement).
KUMACHEVA, Eugenia [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : GREENER, Jesse; (CA).
LI, Wei; (CA).
KUMACHEVA, Eugenia; (CA)
Mandataire : HILL & SCHUMACHER; 264 Avenue Road Toronto, Ontario M4V 2G7 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/202,188 04.02.2009 US
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A STAMP FOR HOT EMBOSSING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN POINÇON POUR GAUFRAGE À CHAUD
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a process for producing a stamp for hot embossing (HE). The stamp can be constructed from any photo-resist epoxy that is stable at temperatures equal to the glass transition temperature (Tg) of the material to be stamped. The stamp can be used repeatedly without significant distortion of features. The stamp benefits from low relative cost, high fidelity of features in all three-dimensions and fast construction. The process for producing a stamp for hot embossing from a resist, comprising the steps of producing a seed layer L1 from a selected photoresist polymer material, soft baking the seed layer L1, exposing said seed layer L1 to initiate cross-linking and then post-exposure bake L1 to fully cross-link it, coating the cross-linked seed layer L1 with a second photoresist polymer layer L2; soft baking the second photoresist polymer layer L2; applying a mask to the top surface of the soft baked layer L2 and illuminating the unmasked portions of the soft baked layer L2 with UV radiation through the mask, wherein the exposed areas form the pattern of the embossing features, washing away un-exposed regions of the photoresist with a developer to leave behind a relief pattern formed in the second photoresist polymer layer L2, which relief pattern corresponds to a pattern in the mask.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un poinçon pour gaufrage à chaud (HE). Le poinçon peut être construit à partir d'une quelconque époxy de réserve photosensible qui est stable à des températures égales à la température de transition vitreuse (Tg) du matériau devant être gaufré. Le poinçon peut être utilisé de façon répétée sans distorsion significative des éléments. Le poinçon bénéficie d'un coût relativement bas, d'une grande fidélité des éléments dans les trois dimensions et d'une construction rapide. Le procédé de fabrication d'un poinçon pour gaufrage à chaud à partir d'une réserve comporte les étapes consistant à produire une couche de germe L1 à partir d'un matériau polymère de réserve photosensible choisi, à cuire doucement la couche de germe L1, à exposer ladite couche de germe L1 pour amorcer une réticulation, puis à cuire par post-exposition L1 afin de réticuler totalement celle-ci, à revêtir la couche de germe réticulée L1 d'une seconde couche polymère de réserve photosensible L2 ; à cuire doucement la seconde couche polymère de réserve photosensible L2 ; à appliquer un masque sur la surface supérieure de la couche doucement cuite L2 et à éclairer les parties non masquées de la couche doucement cuite L2 avec un rayonnement ultraviolet à travers le masque, les zones exposées formant le motif des éléments de gaufrage, à éliminer par lavage les régions non exposées de la réserve photosensible avec un révélateur de façon à laisser un motif en relief formé dans la seconde couche polymère de réserve photosensible L2, lequel motif en relief correspond à un motif dans le masque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)