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1. (WO2010088674) RÉDUCTION D'UN COURANT DE FUITE DANS UN DISPOSITIF À MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2010/088674    International Application No.:    PCT/US2010/022896
Publication Date: 5 août 2010 International Filing Date: 2 févr. 2010
IPC: G11C 17/18
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
CHEN, Nan
SANI, Mehdi, Hamidi
CHABA, Ritu
Inventors: CHEN, Nan
SANI, Mehdi, Hamidi
CHABA, Ritu
Title: RÉDUCTION D'UN COURANT DE FUITE DANS UN DISPOSITIF À MÉMOIRE
Abstract:
L'invention concerne des dispositifs à mémoire et des procédés de réduction d'un courant de fuite dans ceux-ci. Le dispositif à mémoire comprend une matrice de tores de mémoire comprenant une pluralité de lignes binaires, et une logique périphérique conçue pour établir l'interface avec ladite matrice. Le dispositif à mémoire comprend en outre un interrupteur au pied conçu pour isoler la logique périphérique d'une tension à la masse, et un interrupteur de tête conçu pour isoler un chemin de courant de précharge de la pluralité de lignes binaires de ladite matrice. Un courant de fuite dans le dispositif à mémoire peut être réduit par l'isolation formée par l'interrupteur au pied et l'interrupteur de tête.