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1. (WO2010088669) JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE COMPRENANT UNE BARRIÈRE À EFFET TUNNEL, UNE COUCHE BROCHÉE ET UNE ÉLECTRODE SUPÉRIEURE FORMÉES DANS UN PROCÉDÉ DU TYPE DAMASQUINAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/088669    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/022887
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 02.02.2010
CIB :
H01L 27/22 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
GU, Shiqun [US/US]; (US) (US Seulement).
KANG, Seung, H. [KR/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Xiaochun [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GU, Shiqun; (US).
KANG, Seung, H.; (US).
ZHU, Xiaochun; (US)
Mandataire : KAMARCHIK, Peter; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
12/363,886 02.02.2009 US
Titre (EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION COMPRISING A TUNNEL BARRIER, PINNED LAYER AND TOP ELECTRODE FORMED IN A DAMASCENE-TYPE PROCESS
(FR) JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE COMPRENANT UNE BARRIÈRE À EFFET TUNNEL, UNE COUCHE BROCHÉE ET UNE ÉLECTRODE SUPÉRIEURE FORMÉES DANS UN PROCÉDÉ DU TYPE DAMASQUINAGE
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic tunnel junction storage element for a spin transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) bit cell includes a bottom electrode layer, (150) a pinned layer (160) adjacent to the bottom electrode layer, a dielectric layer (70) encapsulating a portion of the bottom electrode layer and the pinned layer, the dielectric layer including sidewalls that define a hole adjacent to a portion of the pinned layer, a tunneling barrier (190) adjacent to the pinned layer, a free layer (200) adjacent to the tunneling barrier, and a top electrode (210) adjacent to the free layer, wherein a width of the bottom electrode layer and/or the pinned barrier in a first direction is greater than a width of a contact area between the pinned layer and the tunneling barrier in the first direction. Also a method of forming an STT-MRAM bit cell is disclosed.
(FR)L'invention concerne un élément de mémorisation à jonction à effet tunnel magnétique pour une cellule binaire de mémoire vive magnétorésistive à transfert de spin (STT-MRAM), l'élément comprenant une couche d'électrode inférieure (150), une couche brochée (160) adjacente à la couche d'électrode inférieure, une couche diélectrique (70) encapsulant une partie de la couche d'électrode inférieure et de la couche brochée, la couche diélectrique comprenant des parois latérales qui définissent un trou adjacent à une partie de la couche brochée, une barrière à effet tunnel (190) adjacente à la couche brochée, une couche libre (200) adjacente à la barrière à effet tunnel, et une électrode supérieure (210) adjacente à la couche libre. Une largeur de la couche d'électrode inférieure et/ou de la couche brochée dans une première direction est supérieure à une largeur d'une zone de contact entre la couche brochée et la barrière à effet tunnel dans la première direction. L'invention concerne également un procédé de formation d'une cellule binaire de STT-MRAM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)