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1. (WO2010088246) TAMPON DE PLANARISATION MÉCANO-CHIMIQUE COMPRENANT DES DOMAINES STRUCTURELS À MOTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/088246    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/022189
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 27.01.2010
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : INNOPAD, INC. [US/US]; 6 Centennial Drive Peabody, MA 01960 (US) (Tous Sauf US).
LEFEVRE, Paul [US/US]; (US) (US Seulement).
MATHEW, Anoop [IN/US]; (US) (US Seulement).
QIAO, Scott, Xin [CA/US]; (US) (US Seulement).
WU, Guangwei [US/US]; (US) (US Seulement).
WELLS, David, Adam [US/US]; (US) (US Seulement).
HSU, Oscar, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEFEVRE, Paul; (US).
MATHEW, Anoop; (US).
QIAO, Scott, Xin; (US).
WU, Guangwei; (US).
WELLS, David, Adam; (US).
HSU, Oscar, K.; (US)
Mandataire : GROSSMAN, Steven; 55 South Commercial Street Manchester, NH 03101 (US)
Données relatives à la priorité :
61/147,551 27.01.2009 US
Titre (EN) CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION PAD INCLUDING PATTERNED STRUCTURAL DOMAINS
(FR) TAMPON DE PLANARISATION MÉCANO-CHIMIQUE COMPRENANT DES DOMAINES STRUCTURELS À MOTIFS
Abrégé : front page image
(EN)An aspect of the present disclosure relates to a chemical mechanical planarization pad including a first domain and a second continuous domain wherein the first domain includes discrete elements regularly spaced within the second continuous domain. The pad may be formed by forming a plurality of openings for a first domain within a second continuous domain of the pad, wherein the openings are regularly spaced within the second domain, and forming the first domain within the plurality of openings in second continuous domain. In addition, the pad may be used in polishing a substrate with a polishing slurry.
(FR)Un aspect de la présente invention porte sur un tampon de planarisation mécano-chimique comprenant un premier domaine et un second domaine continu, le premier domaine comprenant des éléments discrets régulièrement espacés à l'intérieur du second domaine continu. Le tampon peut être formé par formation d'une pluralité d'ouvertures pour un premier domaine à l'intérieur d'un second domaine continu du tampon, les ouvertures étant régulièrement espacées à l'intérieur du second domaine, et par formation du premier domaine à l'intérieur de la pluralité d'ouvertures dans le second domaine continu. De plus, le tampon peut être utilisé dans le polissage d'un substrat avec une boue de polissage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)