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1. (WO2010088099) BOBINE D'INDUCTION DE CIRCUIT INTÉGRÉ DOTÉ D'UN SUBSTRAT DOPÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/088099    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/021397
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 19.01.2010
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : ALTERA CORPORATION [US/US]; 101 Innovation Drive San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
WATT, Jeffrey, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Shuxian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WATT, Jeffrey, T.; (US).
CHEN, Shuxian; (US)
Mandataire : TREYZ, G., Victor; Treyz Law Group 870 Market Street Suite 984 San Francisco, CA 94102 (US)
Données relatives à la priorité :
12/363,545 30.01.2009 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT INDUCTOR WITH DOPED SUBSTRATE
(FR) BOBINE D'INDUCTION DE CIRCUIT INTÉGRÉ DOTÉ D'UN SUBSTRAT DOPÉ
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit inductor and a substrate with doped regions are provided. The substrate may be a p-type substrate and the substrate may have n-type doped regions. The n-type doped regions may include n-type wells, deep n-type wells, and n+ regions. The n-type doped regions may be formed in a pattern of strips such as a triangular comb pattern of strips or a series of L-shaped strips. The strips may be oriented perpendicular to the spiral of the inductor. A positive bias voltage may be applied to the n-type doped regions to create a depleted region in the substrate between the n-type doped regions. The depleted region may increase the effective distance between the inductor and the substrate, minimizing undesired coupling effects between the inductor and the substrate and increasing the effectiveness of the inductor.
(FR)La présente invention a trait à une bobine d'induction de circuit intégré et à un substrat doté de régions dopées. Le substrat peut être un substrat de type P et il peut être pourvu de régions dopées de type N. Lesdites régions dopées de type N peuvent inclure des puits de type N, des puits de type N profonds, et des régions n+. Les régions dopées de type N peuvent être formées suivant un motif de bandes tel qu'un circuit en peigne triangulaire de bandes ou une série de bandes en forme de L. Les bandes peuvent être orientées perpendiculairement à la spirale de la bobine d'induction. Une tension de polarisation positive peut être appliquée aux régions dopées de type N afin de créer une région appauvrie dans le substrat entre les régions dopées de type N. La région appauvrie peut augmenter la distance équivalente entre la bobine d'induction et le substrat, tout en minimisant les effets de couplage indésirables entre la bobine d'induction et le substrat et en augmentant l'efficacité de la bobine d'induction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)