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1. (WO2010087851) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À PLASMON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087851    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/032698
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 30.01.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 2055 S.H. 249 Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
TAN, Michael R.T. [US/US]; (US) (US Seulement).
FATTAL, David A. [FR/US]; (US) (US Seulement).
FIORENTINO, Marco [IT/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Shih-yuan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TAN, Michael R.T.; (US).
FATTAL, David A.; (US).
FIORENTINO, Marco; (US).
WANG, Shih-yuan; (US)
Mandataire : COLLINS, David W.; Hewlett-Packard Co., Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400 M/S 35, Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PLASMONIC LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À PLASMON
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode (100 or 150) includes a diode structure containing a quantum well (120), an enhancement layer (142), and a barrier layer (144 or 148) between the enhancement layer (142) and the quantum well (120). The enhancement layer (142) supports plasmon oscillations at a frequency that couples to photons produced by combination of electrons and holes in the quantum well (120). The barrier layer serves to block diffusion between the enhancement layer (142) and the diode structure.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente (100 ou 150) qui comprend une structure de diode contenant un puits quantique (120), une couche d'amélioration (142) et une couche barrière (144 ou 148) entre la couche d'amélioration (142) et le puits quantique (120). La couche d'amélioration (142) prend en charge les oscillations du plasmon à une fréquence qui se couple aux photons produits par une combinaison des électrons et des orifices dans le puits quantique (120). La couche barrière sert à bloquer la diffusion entre la couche d'amélioration (142) et la structure de la diode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)