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1. (WO2010087428) APPAREIL POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087428    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/051200
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 29.01.2010
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOYO TANSO CO., LTD. [JP/JP]; 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5550011 (JP) (Tous Sauf US).
YOSHIMOTO, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOSHIMOTO, Yoshiaki; (JP).
KUBOTA, Takeshi; (JP)
Mandataire : KITADAI, Tetsuo; 7-12-5-605, Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-019142 30.01.2009 JP
Titre (EN) CVD APPARATUS
(FR) APPAREIL POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) CVD装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a CVD apparatus by which qualities of a susceptor and productivity can be significantly improved without causing a large increase of production cost and a size increase of the apparatus. The CVD apparatus forms a SiC film on the surface of a carbonaceous base material (5) by introducing a gas into the apparatus in a state where the carbonaceous base material (5) is supported by means of a supporting member.  The supporting member has a lower supporting member (6), which has the carbonaceous base material (5) placed thereon and supports the lower portion of the carbonaceous base material, and an upper supporting member (13), which supports the upper portion of the carbonaceous base material (5).  The upper supporting member (13) is arranged on the outer circumference of the carbonaceous base material (5), a V-shaped groove (13d) is formed on the upper supporting member (13), and in the carbonaceous base material arranging space (17) composed of the V-shaped groove (13d), the carbonaceous base material (5) is placed with a sufficient clearance.
(FR)La présente invention concerne un appareil pour dépôt chimique en phase vapeur grâce auquel les qualités de suscepteur et de productivité peuvent être grandement améliorées sans entraîner une importante augmentation de coût de production ni accroître la dimension de l'appareil. L'appareil pour dépôt chimique en phase vapeur forme un film de SiC à la surface d'une matière de base carbonée (5) en introduisant un gaz dans l'appareil dans un état où la matière carbonée (5) est maintenue au moyen d'un élément de support. L'élément de support comporte un élément de support inférieur (6), sur lequel la matière de base carbonée (5) est placée, et un élément de support supérieur (13) qui assure le support de la partie supérieure de la matière de base carbonée (5). L'élément de support supérieur (13) est disposé sur la circonférence extérieure de la matière de base carbonée (5), une rainure en forme de V (13d) est formée sur l'élément de support supérieur (13), et dans l'espace où la matière carbonée de base est placée (17) constitué par la rainure en forme de V (13d), la matière de base carbonée est (5) est placée avec un espace libre suffisant.
(JA)生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるCVD装置を提供することを目的とする。 炭素質基材5を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材5の表面にSiC被膜を形成するCVD装置において、上記支持部材は、上記炭素質基材5が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材6と、上記炭素質基材5の上部を支持する上部支持部材13とを有し、この上部支持部材13は上記炭素質基材5の外周縁に設けられると共に、この上部支持部材13にはV字状の溝13dが形成され、このV字状の溝13dにより構成される炭素質基材配置空間17内には、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材5が配置されることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)