WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010087345) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉBAUCHES DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE PAR ULTRA-VIOLET EXTRÊME (EUV)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087345    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050985
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 26.01.2010
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
KINOSHITA, Takeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISE, Hirotoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KINOSHITA, Takeru; (JP).
ISE, Hirotoshi; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-016283 28.01.2009 JP
2009-271597 30.11.2009 JP
2009-282872 14.12.2009 JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING REFLECTIVE MASK BLANKS FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉBAUCHES DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE PAR ULTRA-VIOLET EXTRÊME (EUV)
(JA) EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing EUV mask blanks which minimizes the occurrence of damage on the glass substrate surface or the electrostatic chuck surface, caused by the sandwiching of particles or other foreign matter between the electrostatic chuck and glass substrate.  The method of manufacturing EUV mask blanks is characterized in that the electrostatic chuck holding the glass substrate by attractive force comprises a lower dielectric layer formed from organic polymer film, an electrode part formed from a conductive material, and an upper dielectric layer formed from an organic polymer film in this order, and in that the electrode part includes a cathode and anode.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'ébauches de masque EUV qui rend minimale l'apparition de dommage sur la surface de substrat en verre ou la surface de mandrin électrostatique, provoqué par l'intercalation de particules ou autre matière étrangère entre le mandrin électrostatique et le substrat en verre. Le procédé de fabrication d'ébauches de masque EUV est caractérisé en ce que le mandrin électrostatique maintenant le substrat en verre par une force d'attraction comprend une couche diélectrique inférieure formée à partir d'un film polymère organique, une partie d'électrode formée à partir d'un matériau conducteur et une couche diélectrique supérieure formée à partir d'un film polymère organique dans cet ordre, et en ce que la partie d'électrode comprend une cathode et une anode.
(JA) 静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込みによるガラス基板表面もしくはチャック面への傷の発生が抑制されたEUVマスクブランクスの製造方法の提供。 ガラス基板を吸着保持する静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするEUVマスクブランクスの製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)