WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010087299) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LE TRAITEMENT THERMIQUE AU LASER D'UNE PELLICULE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087299    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050890
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 25.01.2010
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Déposants : THE JAPAN STEEL WORKS,LTD. [JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (Tous Sauf US).
SHIDA Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
CHUNG Sughwan [KR/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIDA Junichi; (JP).
CHUNG Sughwan; (JP)
Mandataire : Yokoi Koki; 2nd Floor, Mita 3chome BLDG., 4-11, Mita 3-chome,Minato-ku, Tokyo 1080073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-021164 02.02.2009 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR LASER-ANNEALING SEMICONDUCTOR FILM
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LE TRAITEMENT THERMIQUE AU LASER D'UNE PELLICULE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体膜のレーザアニール方法およびアニール装置
Abrégé : front page image
(EN)Crystallization uniformity is ensured in laser annealing irrespective of fluctuation of laser output.  In a laser-annealing method for annealing an amorphous single crystal semiconductor film by irradiating the film with a pulse laser beam, energy of the pulse laser beam is controlled such that the maximum peak height of the pulse waveform of the laser beam is a predetermined height.  The control is performed by means of a laser-annealing apparatus provided with: a laser oscillator (1) which outputs the pulse laser beam; an optical system (4) which guides the pulse laser beam to the amorphous single crystal semiconductor film; a maximum peak height measuring section which measures the maximum peak height of the pulse laser beam; and a control section (8) which receives the measurement results from the maximum peak height measuring section and controls the output energy of the pulse laser beam to be outputted from the laser oscillator or controls a variable attenuator (2), which adjusts the attenuation rate of the pulse laser beam, such that the maximum peak height is the predetermined height.
(FR)L'uniformité de cristallisation est assurée dans le traitement thermique au laser indépendamment de la fluctuation de la sortie du laser. Dans le procédé selon l'invention de traitement thermique au laser pour le traitement d'une pellicule semi-conductrice monocristalline amorphe avec un faisceau laser à impulsions, l'énergie du faisceau laser à impulsion est contrôlée de telle sorte que la hauteur maximale de pic de la forme d'onde du faisceau laser se situe à une hauteur prédéterminée. Le contrôle est réalisé au moyen d'un appareil de traitement thermique au laser comportant : un oscillateur laser (1) qui émet le faisceau laser à impulsions ; un système optique (4) qui guide le faisceau laser à impulsions vers la pellicule semi-conductrice monocristalline amorphe ; une section de mesure de la hauteur maximale de pic qui mesure la hauteur maximale de pic du faisceau laser à impulsions ; et une section de contrôle (8) qui reçoit les résultats de mesure de la section de mesure de la hauteur maximale de pic depuis la section de mesure de la hauteur maximale de pic et contrôle l'énergie de sortie du faisceau laser à impulsions à émettre depuis l'oscillateur laser et contrôle un atténuateur variable (2) qui ajuste le taux d'atténuation du faisceau laser à impulsions de telle sorte que la hauteur maximale de pic soit à la hauteur prédéterminée.
(JA) レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。非単結晶半導体膜上にパルスレーザ光を照射してアニール処理を行うレーザアニール処理方法において、前記レーザ光のパルス波形の最大ピーク高さが所定の高さとなるように、前記パルスレーザ光のエネルギー制御を行い、該制御は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器1と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系4と、前記パルスレーザ光の最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、該最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、前記最大ピーク高さが所定の高さとなるように、前記レーザ発振器におけるパルスレーザ光の出力エネルギーまたはパルスレーザ光の減衰率を調整する可変減衰器2を制御する制御部8を備えるレーザアニール装置により行うことができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)