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1. (WO2010087231) LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE À CRISTAL PHOTONIQUE BIDIMENSIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087231    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050346
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 14.01.2010
CIB :
H01S 5/18 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC. [JP/JP]; 1-6-1, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
IMADA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IMADA, Masahiro; (JP)
Mandataire : KOTANI, Etsuji; Osaka Nakanoshima Building 2nd Floor, 2-2, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-017148 28.01.2009 JP
2009-017179 28.01.2009 JP
Titre (EN) TWO-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL SURFACE EMISSION LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE À CRISTAL PHOTONIQUE BIDIMENSIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 2次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a two-dimensional photonic crystal surface emission laser (100) equipped with a first semiconductor layer (5) in which multiple concave parts (10) are formed as a two-dimensional photonic crystal structure, with the radius of the concave parts (10) gradually changing in the depth direction. The two-dimensional photonic crystal surface emission laser (100) having said structure is manufactured by including a step wherein the concave parts (10) are formed in the first semiconductor layer (5), which is stacked above an active layer (3), to become narrower from the surface opposite the active layer (3) toward the active layer (3).
(FR)L'invention porte sur un laser à émission par la surface à cristal photonique bidimensionnel (100) comprenant une première couche semi-conductrice (5) dans laquelle de multiples parties concaves (10) sont formées sous la forme d'une structure de cristal photonique bidimensionnel, le rayon des parties concaves (10) variant progressivement dans la direction de la profondeur. Le laser à émission par la surface à cristal photonique bidimensionnel (100) présentant ladite structure est fabriqué par inclusion d'une étape à laquelle les parties concaves (10) sont formées dans la première couche semi-conductrice (5), qui est empilée au-dessus d'une couche active (3) de façon à devenir plus étroite en allant de la surface opposée à la couche active (3) vers la couche active (3).
(JA) 本発明の2次元フォトニック結晶面発光レーザ100は、2次元フォトニック結晶構造として複数の凹部10を形成した第1半導体層5を備え、凹部10の径が深さ方向に沿って徐々に変化しているものであり、このような構成の2次元フォトニック結晶面発光レーザ100は、活性層3上に積層された第1半導体層5に、活性層3とは反対側の表面から、活性層3に近づくほど細くなっていく凹部10を形成する工程を含むことによって製造される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)